The Physics of Semiconductor Devices, 2 Teile : Proceedings of IWPSD 2017 (Springer Proceedings in Physics 215) (2019. lvii, 1299 S. LVII, 1299 p. 824 illus., 656 illus. in color. In)

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The Physics of Semiconductor Devices, 2 Teile : Proceedings of IWPSD 2017 (Springer Proceedings in Physics 215) (2019. lvii, 1299 S. LVII, 1299 p. 824 illus., 656 illus. in color. In)

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  • 製本 Hardcover:ハードカバー版
  • 商品コード 9783319976037

Full Description

This book disseminates the current knowledge of semiconductor physics and its applications across the scientific community. It is based on a biennial workshop that provides the participating research groups with a stimulating platform for interaction and collaboration with colleagues from the same scientific community.
The book discusses the latest developments in the field of III-nitrides; materials & devices, compound semiconductors, VLSI technology, optoelectronics, sensors, photovoltaics, crystal growth, epitaxy and characterization, graphene and other 2D materials and organic semiconductors.

Contents

Enhanced Photodetection in Visible Region in rGo/GaN Based Hybrid Photodetector.- ZigZag Phosphorene Nanoribbons Antidot â€" Electronic structure and Device Application.- Calculation of Quantum Capacitance and Sheet Carrier Density of Graphene FETs.- Effect of Back Gate Voltage on Double Gate Single Layer Graphene Field-Effect Transistor with Improved ION.- Effects of chemical functionalization on single-walled carbon nanotubes by mild hydrogen peroxide for PV applications.- Effect of tip induced strain on nanoscale electrical properties of MoS2-Graphene heterojunctions.- Optimization of the concentration of molybdenum disulfide (MoS2) for formation of atomically thin layers.- Fabrication of 2D NEMS on flexible substrates for strain engineering in sensing applications.- Transition metal doped ZnS monolayer: The first principles insights.- Tuning Resonant Wavelength of Silicon Micro-ring Resonator with Graphene.- Diameter Dependent Band Gap Properties of Different Structures of Single-walled Carbon.-Limitations of Mott-Schottky Analysis for Organic Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors.

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