内容説明
ワイドギャップ半導体について、パイオニアの研究者による「あけぼの」の時期からのチャレンジングな基盤技術の開拓過程と「最前線」のデバイス開発までのブレークスルーを記述し、記録・伝承することを含め、その意義をまとめた。第一線の研究者らが参画し、近未来の光・電子デバイスの基盤技術開拓に質することを目的に、最前線の研究成果と技術の芽の基礎を網羅して解説する。
目次
第１編 ワイドギャップ半導体のあけぼの（ＧａＮ系窒化物半導体研究のあけぼの；パワー半導体ＳｉＣのあけぼの）
第２編 ワイドギャップ半導体エコ技術の最前線（光エコデバイス；電子エコデバイス；情報・通信エコ技術；環境エコ技術）
著者等紹介
吉川明彦［ヨシカワアキヒコ］
１９７１年千葉大学大学院工学研究科修士課程修了。東京工業大学助手。１９７６年千葉大学助手、助教授。１９９０年千葉大学教授を経て、千葉大学特任教授（スマートグリーンイノベーション研究拠点長）・名誉教授、工学院大学特任教授、工学博士。（独）日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第１６２委員会委員長
赤崎勇［アカサキイサム］
１９５２年京都大学理学部卒業。神戸工業（株）（現、富士通（株））。１９５９年名古屋大学助手・助教授。１９６４年松下電器産業（株）東京研究所基礎第４研究室室長、半導体部長など。１９８１年名古屋大学教授。１９９２年名城大学教授、名古屋大学名誉教授を経て、名城大学教授、名古屋大学特別教授・名誉教授。工学博士
松波弘之［マツナミヒロユキ］
１９６４年京都大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了。京都大学工学部助手、助教授。１９７６年米国ノースカロライナ州立大学客員准教授。１９８３年京都大学工学部教授。２００４年科学技術振興機構（ＪＳＴ）イノベーションプラザ京都館長を経て、京都大学名誉教授、工学博士（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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