表面分析:SIMS―二次イオン質量分析法の基礎と応用

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  • サイズ A5判/ページ数 429p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784900508101
  • NDC分類 428.4
  • Cコード C3043

目次

表面におけるSIMS(新規解説文)
SIMSの装置
スパッター深さ方向分析の基本概念
スパッタリングを用いた定量分析法:二次イオンおよびスパッター中性粒子質量分析法(抄訳)
ダイナミックSIMSとそのマイクロエレクトロニクスへの応用
スタティックSIMS(無機材料への応用;有機材料の表面分析)

著者等紹介

ブリッグス,デビッド[ブリッグス,デビッド][Briggs,D.]
ICI国際材料センター。1970年にダーハム大学を卒業後、ICIに入社し、ダーハム大学と共同でXPSを応用して不均一触媒の研究を行う。この研究により1973年にPhDの学位を得る。ランコーンのICIの総合研究所で英国で初めて表面工業分析の研究所をつくる。1975年に、高分子表面の改質と接着性をXPSを用いて研究する長期研究プロジェクトを発足させて、これが機縁で1977年にはICIのプラスチックス事業部に移り、高分子フィルムの表面特性を研究。1980年には有機物表面、とくにポリマー表面分子の分析のためスタティックSIMSを開発する計画を始めた。この計画の成功によりモレキュラーSIMSによるイメージングの研究が始まり、TOF型のイメージングSIMSの装置開発に密接に係わる。現在、ICIウィルトン材料研究センターで表面分析の研究グループの指導者。1979年には国際誌“Surface and Interface Analysis”を創刊し、現在編集委員長を務める。1986年、シェフィールド大学の材料学部の客員教授に任命

シーア,マーティン・P.[シーア,マーティンP.][Seah,M.P.]
国立物理学研究所。ブリストル大学で固体物理の分野で研究生活を始めた。この研究には金属表面での低速電子の弾性及び非弾性散乱が含まれていた。その後ワーウィック大学に移り、研究を金属結晶の低指数表面及びモデル表面での低速電子線回折へと発展させた。1969年にはテディントンの国立物理学研究所へ移った。ここでは金属中の粒界への不純物の偏析の基礎を解明するためオージェ電子分光法を開発することになった。また、電子部品のハンダ付に関する研究も同時に行われ、オージェ電子分光(AES)、X線光電子分光(XPS)、二次イオン質量分析(SIMS)が用いられた。1979年にはAEXとXPSについて基礎的な標準化の研究プロジェクトAESとXPSにつ9年には、テディントンでビェンナーレ会議「表面定量分析」を発足させた。また1984年にはNISTのパウエル博士と共に表面化学分析のVAMAS計画を発足させた

志水隆一[シミズリュウイチ]
1937年大阪市生まれ、大阪大学工学部卒業、大阪大学大学院工学研究科博士課程修了。現在、大阪大学名誉教授、大阪工業大学情報科学部教授、工学博士。専門は表面・界面物性、マイクロアナリシス

二瓶好正[ニヘイヨシマサ]
1940年東京生まれ、東京大学工学部卒業、東京大学工学系大学院博士課程修了。現在、東京大学名誉教授、東京理科大学理工学部教授、工学博士。専門は物質情報工学、マイクロビームアナリシス、環境計測化学
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