出版社内容情報
（1985年『ハイブリッドマイクロエレクトロニクス』普及版）
【刊行にあたって】
ハイブリッドマイクロエレクトロニクス技術なることばは，従来のハイブリッドＩ/Ｃ，混成集積回路の範囲にとどまらず，エレクトロニクス機器構成上，重要な構成技術である。
シリコン半導体をはじめとしたIC，LSIの高集積化，高機能化の源は極めて早く，これらを収容または搭載する受動回路部品群の高密度化もそれにつれて早まって来ている。
エレクトロニクス機器全般で軽薄短小化のテンポが早まり，一世代前の装置が，部品レベルまでに小型化され，高集積化されて来ている。
これらの現状をふまえて本書ではハイブリッドマイクロエレクトロニクス技術の中で基板材料技術，基板加工技術，膜形成技術，パタン加工技術，パッケージング技術，マイクロ接合技術，実装技術，を中心に関連技術者，研究者に興味のある内容を中心にまとめてみた。さらに信頼性，評価，応用デバイスの例等もとりあげた。ハイブリッドマイクロエレクトロニクスの何たるかを御理解いただければ幸いである。
二瓶公志
【執筆者一覧（執筆順）】
二瓶公志 沖電気工業（株） 基板技術研究所
浦 満 （株）日立製作所 日立研究所
内海和明 日本電気（株） 基礎研究所
（現）NECラミリオンエナジー（株） 代表取締役社長
梅津理和 石塚硝子（株） 開発事業部
藤田郁央 石原薬品（株） 機能材料部
英 一太 英技術士事務所 技術士
池田正義 日立化成工業（株） 石神工場 製造部
（現）（株）山岸エーアイシー 本社 顧問
樋口 徹 松下電工（株） 電子基材事業部
矢島喜代志 藤倉電線（株） 研究所
柴田勲夫 沖電気工業（株） 基板技術研究所
井口泰男 沖電気工業（株） 基板技術研究所
柴田 進 沖電気工業（株） 基板技術研究所
高橋良郎 沖電気工業（株） 基板技術研究所
（現）沖電気工業（株） システム・ソリューションカンパニーチームリーダー
杉本久典 日本黒鉛工業（株） 瀬田工場
成沢 博 日本黒鉛工業（株） 瀬田工場
芦田 守 日本黒鉛工業（株） 瀬田工場
（現）日本黒鉛工業（株） 第１製造技術部 次長
芝 弘 日本黒鉛工業（株） 石山工場
可児康之 九州ノリタケ（株） 開発部
（現）（株）ノリタケ・カンパニー 開発・技術本部 理事
久世 孝 （株）東芝 横浜金属工場 特殊金属技術部
横沢眞観 松下電子工業（株） ディスクリート事業部
立野健一 松下電子工業（株） ディスクリート事業部
浜田 勉 松下電工（株） 化学材料事業部
前田崇道 シャープ（株） ＩＣ技術センター プロセス第３技術部
下田靖雄 キューリック・アンド・ソファ・ジャパン（株） 技術本部
大島宗夫 （株）日立製作所 生産技術研究所 信頼性センター
（現）タイコエレクトロニクスアンプ（株） 品質マネージメント本部
佐藤了平 （株）日立製作所 生産技術研究所 信頼性センター
（現）大阪大学 先端科学技術共同研究センター 教授
松田邦介 田中マッセイ（株） 営業部
（現）ジョンソン・マッセイ・ジャパン・インク 喜連川テクニカルセンター
若林浩次 日本電気（株） レーザ装置事業部 開発部
田中和吉 日本電気コストコンサルティング（株） コンサルタント事業部
我孫子一松 沖電気工業（株） 基板技術研究所
武田義章 日本大学 生産工学部
小島基弘 松下電子工業（株） 半導体研究所
（現）松下電器産業（株） 半導体社 事業本部 イメージセンサビジネスユニット
次世代センサー開発チーム チームリーダー
富山駿介 富士ゼロックス（株） 電子技術研究所
（執筆者の所属は，注記以外は1985年当時のものです。）
【構成および内容】
＜総論編＞
第１章 ハイブリッドマイクロエレクトロニクス技術とその関連材料 二瓶公志
１．はじめに
２．ハイブリッドマイクロエレクトロニクス技術の範囲と変革
３．エレクトロニクス機器における装置構成技術の分類と装置実装階層
３．１ 第１実装階層（素子パッケージ実装階層）
３．２ 第２実装階層（基板実装階層）
３．３ 第３実装階層（架実装階層）
４．ハイブリッドI/Cの市場動向と応用分野
４．１ 主な製造業の生産の出荷状況とエレクトロニクス産業の伸び
４．２ ハイブリッドI/CおよびモノリシックI/Cの生産推移と応用分野
５．ハイブリッドマイクロエレクトロニクス技術の将来展望
５．１ パッケージ・レベルでの高密度多機能化
５．２ プリント基板レベルの高密度多機能化
５．３ 機能モジュールレベルでの高密度多機能化
６．印刷回路基板（セラミック基板等を含む）
６．１ 印刷回路基板の定義と位置づけ
６．２ 印刷回路基板の種類
６．３ 印刷回路基板用材料種目とその材料特性および基板材料の進展予測
７．光ハイブリッド技術の概要と予測
７．１ オプトエレクトロニクス関連応用分野とその構成技術
７．１．１ オプトエレクトロニクス関連応用分野とその構成技術
７．２ 光関連素子および材料
７．３ ハイブリッド技術とオプトエレクトロニクスの関連
８．おわりに
＜基板技術・材料偏＞
第２章 新SiCセラミック基板・材料 浦 満
１．はじめに
２．新SiC基板の製造方法
３．新SiC基板の諸特性
３．１ 熱的特性
３．２ 電気的特性
３．３ その他の特性
４．メタライズ
５．半導体実装への応用
６．おわりに
第３章 AINセラミック基板材料 内海和明
１．はじめに
２．高熱伝導率セラミックス材料
３．AIN基板特性
３．１ AINの物理化学的性質
３．２ AIN基板特性
３．２．１ 熱伝導率
３．２．２ 熱膨張係数
３．２．３ 電気特性
３．２．４ 機械特性
３．２．５ 光学的特性
３．２．６ その他
３．３ メタライズ性
４．応用例
５．おわりに
第４章 ガラス基板・材料－ガラスセラミックス材料 梅津理和
１．ガラスセラミックス
１．１ ガラスセラミックスの組成および製造工程
１．２ ガラスセラミックスの特性および特長
１．３ ガラスセラミックス材料の使用例
１．３．１ 圧力センサ
１．３．２ 薄膜磁気ヘッド
１．４ ガラスセラミックス材料の将来
第５章 マシナブル・セラミック 藤田育央
１．はじめに
２．マシナブル・セラミックとは
２．１ マコール
２．２ その他のマシナブル・セラミック
３．マシナビリティ（機械加工性）
４．設計の指針
５．機械加工の要領
６．メタライジングと回路形成
７．接着および封着加工
８．用途
第６章 高密度多層基板 英 一太
１．はじめに
２．多層プリント配線板の構造
３．多層プリント配線板の製造法
３．１ 寸法許容差と寸法変化
４．多層成形
４．１ 多層成形条件
４．２ プレプリグの要求特性と管理
５．多層プリント配線板の層間剥離防止対策
５．１ 剥離防止対策の検討
５．２ プレプリグの乾燥
５．３ 乾燥窒素中保存
５．４ 内層回路板の乾燥
５．５ 水分の再吸収
５．６ 内層回路板の表面処理
第７章 メタルアディティブセラミックス配線板 池田正義
１．はじめに
２．HMACの製造プロセス
３．HMACの特性
３．１ 回路密着特性
３．２ スルーホール信頼性
３．３ 高周波特性
３．４ ワイヤーボンディング特性
４．HMACの応用
４．１ 特徴
４．２ 応用例
第８章 金属ベース有機複合基板・材料 樋口 徹
１．はじめに
２．金属プリント配線板の種類
３．金属プリント配線板の特性
４．金属プリント配線板の実用例
５．金属プリント配線板の技術動向
５．１ 金属多層プリント配線板の開発
６．おわりに
第９章 金属ベース無機配合基板・材料（ホーロー基板） 矢島喜代志
１．はじめに
２．ホーロー基板の構造
３．ホーロー基板の製造方法
４．ホーロー基板の特長
５．ホーロー基板の仕様
６．ホーロー基板の特性
７．厚膜回路の特性
８．ホーロー基板の応用
８．１ 可変抵抗器
８．２ フローッピーディスクドライブ（FDD)用ダイレクトドライブモーター回路基板
＜膜形成技術編＞
第１０章 厚膜ペースト材料と膜形成技術 柴田勲夫，井口泰男
１．厚膜ペースト材料
１．１ 導体
１．２ 抵抗体
１．３ 誘導体
２．膜形成技術
２．１ スクリーン印刷技術
２．２ 焼成技術
２．３ 厚膜ファインライン技術
第１１章 薄膜形成技術 柴田 進
１．はじめに
２．基板材料
３．薄膜作製技術
第１２章 めっき膜形成技術（ウエット表面処理技術） 二瓶公志
１．はじめに
２．電子工業におけるウエット表面処理技術
３．半導体プロセスでのウエット表面処理技術
３．１ ウエハープロセスでの洗浄処理
３．２ 半導体パッケージでのウエット表面処理技術
４．印刷配線板での表面処理技術
５．接触部品での表面処理技術
６．文献調査状況よりみた無電解めっきの応用と現状
７．成膜技術全般からみた無電解めっき技術の位置づけ
８．おわりに
第１３章 トリミング技術 柴田勲夫，井口泰男，高橋良郎
１．はじめに
２．アブレッシブ・トリミング（サンドブラスト法）
３．レーザ・トリミング
３．１ レーザ・トリミングの概要
３．２ レーザ・トリミング条件の設定
３．３ カッティング形状
３．４ レーザー・トリミングをした抵抗体の信頼性
３．５ 機能トリミング
＜パターン加工技術編＞
第１４章 スクリーン印刷技術 杉本久典，成沢 博，芦田 守，芝 弘
１．スクリーン印刷の特徴
２．スクリーン印刷技術
３．スクリーン印刷のエレクトロニクス部品への応用
４．厚膜IC
第１５章 厚膜エッチング加工技術 可児康之
１．はじめに
２．厚膜ファインパターン形成法
３．厚膜エッチング技術
４．厚膜エッチングの特長
５．厚膜エッチングの適用例
６．おわりに
＜後処理プロセス・実装技術編＞
第１６章 ガラス，セラミックス封止技術と材料 久世 孝
１．はじめに
２．封止合金
３．金属とガラスとの封止
３．１ 封止用ガラス
３．２ 金属とガラスの封止法
３．３ 各種封止合金
３．３．１ Fe-29Ni-Co合金（コバール）
３．３．２ Fe-42Ni-6Cr合金
４．金属とセラミックスとの封止
４．１ セラミックスの種類と一般的特性
４．２ 金属とセラミックスとの封止技術
４．２．１ 接着剤による接合
４．２．２ 活性金属ブレージング
４．２．３ 耐熱金属ブレージング
４．２．４ 硫化銅法＋炭酸銀法
４．２．５ 直接封止
４．２．６ ろう付け
５．おわりに
第１７章 プラスチック封止技術と封止材料 横沢眞観，立野健一，浜田 勉
１．はじめに
２．封止技術
３．封止材料
４．これからの封止技術と封止材料
５．おわりに
第１８章 TAB接続技術と材料 前田崇道
１．はじめに
２．TABの要素技術
２．１ キャリアテープ作製技術
２．２ バンプ構造と作成工程
２．３ インナリードポンディング（ILB)
２．４ TABぎじゅつの応用例とアウタリードボンディング（OLB)
２．４．１ 汎用パッケージへの応用
２．４．２ 回路機能付デバイスへの応用
２．４．３ ハイブリッドへの応用
３．キャリアテープ材料の動向
３．１ ポリエステル
３．２ ガラスエポキシシート
４．インナリードボンディングのメカニズムと信頼性
５．TAB技術の今後の展望
第１９章 ワイヤ・ボンド接続技術と材料 下田靖雄
１．はじめに
２．ワイヤ・ボンダの種類
２．１ 操作性
２．２ 加工法
３．ワイヤ・ボンディングの理論
３．１ 電気トーチによるボールの形成
３．２ 電気トーチ加電圧極性の影響
４．ワイヤ・ボンドにおける諸問題点
４．１ キャピラリについて
４．２ チップ（デバイス）側の条件
４．３ ワイヤの種類と特徴
５．おわりに
第２０章 フリップチップ接着技術 大島宗夫，佐藤了平
１．はじめに
２．フリップチップ方式
３．CCB方式の接続構造とプロセス
４．CCB方式における信頼性
４．１ 接続部はんだの機械的性質
４．２ 接続部の応力評価
４．３ 接続部の疲労寿命
５．おわりに
第２１章 ダイボンディング技術と材料 松田邦介
１．はじめに
２．非晶合金によるダイボンディング
３．導電接着剤によるダイボンディング
４．はんだによるダイボンディング
５．ガラスによるダイボンディング
６．Ag/ガラスによるダイボンディング
第２２章 チップダイシング技術 若林浩次
１．はじめに
２．機械加工とレーザー加工
３．レーザースクライバー
４．セラミックス基板のダイシング例
４．１ アルミナ基板
４．２ アルミナ以外のセラミックス
５．おわりに
第２３章 チップ部品実装技術 田中和吉
１．はじめに
２．面付け実装の特長とその方法
２．１ 面実装の分類
２．１．１ チップ部品片画面付実装
２．１．２ チップ部品両画面付実装
２．１．３ チップ部品，リード付部品混載実装
３．リフロー方式
３．１ リフロー方式の特徴
３．２ ハンダの供給方法
３．２．１ メッシュ法
３．２．２ ステンシル印刷法
３．２．３ ディスペンス法
３．３ ソルダクリームの必要条件と特徴
３．４ リフロー法の加熱装置
３．４．１ 全体加熱方式
３．４．２ 局部加熱方式
４．フロー方式
４．１ ハンダの流態とフラックスの化学作用
４．２ フローソルダリングの現状
＜信頼性・評価編＞
第２４章 ハイブリッド部品の信頼性と試験方法 二瓶公志
１．はじめに
２．ハイブリッド部品の信頼性に対する考え方
３．ハイブリッド部品の市場レベルでの不良例
４．ハイブリッド部品における接続技術と信頼性
５．パッケージ方法と信頼性
５．１ パッケージの種類と封止方法
５．２ 信頼性試験方法と故障モード
５．３ ハイブリッド用樹脂封止法と信頼性
６．ハイブリッド部品の信頼性試験方法
７．信頼性試験の項目とその試験方法
８．その他
第２５章 プリント基板の信頼性，試験法 英 一太
１．多層プリント配線板の故障と信頼性
１．１ 多層プリント配線板の製造における故障発生のモード
１．２ 基板特性からみた信頼性向上対策
１．３ 加工条件からみた信頼性向上対策
１．３．１ ドリル孔あけ
１．３．２ エッチバック
１．３．３ スルーホールメッキ
２．信頼性評価法
＜応用編＞
第２６章 記録デバイス
１．サーマルヘッド 柴田 進
１．１ はじめに
１．２ サーマルヘッドの発熱部構造
１．３ 薄膜形サーマルヘッドの基本構造
１．４ ライン形サーマルヘッド
２．光プリントヘッド 我孫子一松
２．１ はじめに
２．２ 光プリントヘッドの種類と特徴
２．３ LEDプリントヘッド
２．３．１ 要素部品
２．３．２ プロセス
２．３．３ 機構実装
２．３．４ LEDプリントヘッド関連技術
第２７章 センサデバイス
１．ガスセンサ 武田義章
１．１ はじめに
１．２ 素子材料
１．３ ガス検出原理
１．４ センサ材料と構造
１．５ ガスセンサの集積化
１．６ ガスセンサの今後
２．CCDリニアイメージセンサ 小島基弘
２．１ はじめに
２．２ CCDリニアイメージセンサの原理と構造
２．２．１ CCDの原理
２．２．２ 光電変換部
２．２．３ CCDリニアイメージセンサの構成
２．３ 各種CCDリニアイメージセンサの構成と特性
２．３．１ 縮小型CCDリニアイメージセンサ
２．３．２ 密着型CCDリニアイメージセンサ
２．４ CCDリニアイメージセンサの応用
２．５ おわりに
３．読取りセンサ（a-Si) 富山駿介
３．１ はじめに
３．２ a-Siイメージセンサの概要
３．３ a-Siイメージセンサの製造プロセス
３．４ 技術上の課題
３．４．１ 設計
３．４．２ フォトプロセス
３．４．３ ワイヤボンディング
３．４．４ テスティング
３．５ 今後の課題
内容説明
本書ではハイブリッドマイクロエレクトロニクス技術の中で基板材料技術、基板加工技術、膜形成技術、パタン加工技術、パッケージング技術、マイクロ接合技術、実装技術、を中心に関連技術者、研究者に興味のある内容を中心にまとめた。さらに信頼性、評価、応用デバイスの例等もとりあげた。
目次
総論編
基板技術・材料編
膜形成技術編
パターン加工技術編
後処理プロセス・実装技術編
信頼性・評価編
応用編
