出版社内容情報
第1章 半導体プロセスの基本を理解する
1-1 ひとつかみで見る半導体プロセス
1-2 前工程と後工程の違いとは
1-3 循環型の前工程半導体プロセス
1-4 フロントエンドとバックエンド
1-5 シリコンウェーハとは
1-6 シリコンウェーハはどのように作られるか
1-7 シリコンの性質とは？
1-8 シリコンウェーハに求められる清浄度
1-9 半導体ファブでどのように使用されるか
1-10 大口径化が進むシリコンウェーハ
1-11 製品化につながる後工程
1-12 後工程で使用されるプロセスとは
第2章 前工程のプロセスフロー
2-1 微細化を追求する前工程プロセス
2-2 一括でチップを作製する前工程
2-3 “待った”のないプロセスで必要な検査・モニタリング
2-4 多層配線プロセスの依存する先端ロジック
2-5 前工程のファブとは
2-6 ファブのライン構成、ベイ方式とは
2-7 ファブでは歩留まりの早期立ち上げが必要
第3章 洗浄・乾燥ウェットプロセス
3-1 常に清浄面を保つ洗浄プロセス
3-2 洗浄の手法・メカニズム
3-3 洗浄の基本といえばRCA洗浄
3-4 新しい洗浄方法
3-5 バッチ方式と枚葉式との違い
3-6 スループットが重要な洗浄プロセス
3-7 洗浄後に欠かせない乾燥プロセス
3-8 新しい乾燥プロセス
3-9 ウェットプロセスとドライ洗浄
第4章 イオン注入・熱処理プロセス
4-1 不純物を打ち込むイオン注入技術
4-2 高真空が必要なイオン注入プロセス
4-3 目的で使い分けるイオン注入プロセス
4-4 イオン注入後の結晶回復熱処理とは
4-5 色々な熱処理プロセス
4-6 最新のレーザアニールプロセス
4-7 LSI製造とサーマルバジェット
第5章 リソグラフィープロセス
5-1 下絵を描くリソグラフィープロセス
5-2 リソグラフィープロセスは写真が基本
5-3 微細化を発展させた露光技術の発展
5-4 マスクとペリクル
5-5 印画紙にあたる感光性レジスト
5-6 感光性樹脂を塗布するコータ
5-7 露光後に必要な現像プロセス
5-8 不要なレジストを除去するアッシングプロセス
5-9 液浸露光技術の現状
5-10 ダブルパターニングとは
5-11 更に微細化を追求するEUV技術
第6章 エッチングプロセス
6-1 エッチングプロセスフローと寸法変換差
6-2 色々な手法があるエッチングプロセス
6-3 エッチングプロセスに欠かせないプラズマとは？
6-4 RF（高周波）印加方式による違いとは？
6-5 異方性のメカニズム
6-6 ドライエッチングプロセスの現状
内容説明
微細化を阻む壁は三次元実装で突破。半導体製造工程がスッキリとわかる！
目次
半導体製造プロセスを理解する
前工程の概要
洗浄・乾燥ウェットプロセス
イオン注入・熱処理プロセス
リソグラフィプロセス
エッチングプロセス
成膜プロセス
平坦化（ＣＭＰ）プロセス
後工程プロセスの概要
後工程の最新動向
半導体プロセスの今後の動向
著者等紹介
佐藤淳一［サトウジュンイチ］
京都大学大学院工学研究科修士課程修了。１９７８年、東京電気化学工業（株）（現ＴＤＫ）入社。１９８２年、ソニー（株）入社。一貫して、半導体や薄膜デバイス・プロセスの研究開発に従事。この間、半導体先端テクノロジーズ（セリート）創立時に出向、長崎大学工学部非常勤講師などを経験。テクニカルライターとして活動。応用物理学会員（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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感想・レビュー
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