超LSI技術〈11〉デバイスとプロセス

超LSI技術〈11〉デバイスとプロセス

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  • サイズ B5判/ページ数 290p/高さ 28X20cm
  • 商品コード 9784769310617
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

内容説明

本巻は高速バイポーラデバイス技術、バイポーラCMOS混載技術、微細MOS技術をはじめとして、今後の超LSI用技術として大いに期待される光励起プロセスや超高分解能走査形電子顕微鏡、さらには高分解能電子エネルギー損失分光に至るまで、基礎から応用に渡って幅広く検討する。

目次

1. 高速バイポーラデバイス技術
2. バイポーラCMOS混載技術
3. サブミクロンMOSのシミュレーション
4. 微細MOSFETのホットキャリア効果
5. SOI技術
6. 超高分解能走査形電子顕微鏡
7. レーザ誘起光化学プロセスの基礎過程
8. SOR光励起光化学反応と半導体プロセスへの応用
9. 高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)による単結晶清浄表面と気体分子との相互作用

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