内容説明
ｐｎ接合・ＭＯＳ構造の動作メカニズム、ＳｉＣ／ＧａＮの物性・プロセス技術から、次世代ワイドバンドギャップ半導体の最前線まで解説！
目次
第１章 パワー半導体はＥＶ・太陽光・データセンタでどう使われるのか
第２章 パワー半導体デバイスの基本―ｐｎ接合、金属半導体接合、そしてＭＯＳ構造―
第３章 パワー半導体デバイスの種類と特徴
第４章 シリコンＭＯＳＦＥＴ
第５章 シリコンＩＧＢＴ
第６章 シリコンＭＯＳＦＥＴならびにＩＧＢＴの作製プロセス
第７章 ワイドバンドギャップ半導体が優れる理由
第８章 ワイドバンドギャップ パワー半導体デバイス１―ＳｉＣパワー半導体デバイス―
第９章 ワイドバンドギャップパワー半導体デバイス２―ＧａＮパワー半導体デバイス―
著者等紹介
岩室憲幸［イワムロノリユキ］
１９６２年東京都板橋区生まれ。１９９８年博士（工学）（早稲田大学）。職歴：１９８４年富士電機株式会社入社。１９８８年からシリコンＩＧＢＴ、ダイオードならびにＳｉＣデバイスの研究開発、製品化に従事。２０１３年４月―筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授。専門：シリコンならびにＳｉＣパワーデバイスの設計ならびに評価・解析（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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