基礎から学ぶ半導体電子デバイス

個数:
電子版価格 ¥2,750
  • 電書あり
  • ポイントキャンペーン

基礎から学ぶ半導体電子デバイス

  • 大谷 直毅【著】
  • 価格 ¥2,750(本体¥2,500)
  • 森北出版(2019/10発売)
  • ブラックフライデー全点ポイント5倍キャンペーン(~11/29)
  • ポイント 125pt
  • ウェブストアに2冊在庫がございます。(2021年11月28日 17時28分現在)
    通常、ご注文翌日~2日後に出荷されます。
  • 出荷予定日とご注意事項
    ※上記を必ずご確認ください

    【ご注意事項】 ※必ずお読みください
    ◆在庫数は刻々と変動しており、ご注文手続き中に減ることもございます。
    ◆在庫数以上の数量をご注文の場合には、超過した分はお取り寄せとなり日数がかかります。入手できないこともございます。
    ◆事情により出荷が遅れる場合がございます。
    ◆お届け日のご指定は承っておりません。
    ◆「帯」はお付けできない場合がございます。
    ◆特に表記のない限り特典はありません。
  • ●店舗受取サービス(送料無料)もご利用いただけます。
    ご注文ステップ「お届け先情報設定」にてお受け取り店をご指定ください。尚、受取店舗限定の特典はお付けできません。詳細はこちら
  • サイズ A5判/ページ数 177p/高さ 23cm
  • 商品コード 9784627776210
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

内容説明

「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。

目次

半導体の基礎
半導体中のキャリア密度
半導体中のキャリア輸送現象
pn接合ダイオード
金属と半導体の接合による整流特性
バイポーラトランジスタ
接合型電界効果トランジスタ
MOSダイオード
MOSFET
MOS集積回路
MESFET
付録A エネルギーバンド構造について
付録B 状態密度の計算方法
付録C 有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体
付録D 価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録E ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子
付録F ショットキー接合の電流‐電圧特性
付録G バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足

著者等紹介

大谷直毅[オオタニナオキ]
1994年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、博士(工学)。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。2001年総務省通信総合研究所(現独立行政法人情報通信研究機構)光エレクトロニクスグループリーダー。2005年同志社大学工学部助教授。2011年同志社大学理工学部教授。専門:半導体光デバイス、光電子物性、ナノ構造の物理とその応用(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。