目次
第１章 集積回路の現状と課題（半導体市場と技術動向；設計と信頼性技術の現状 ほか）
第２章 集積回路の基礎（半導体の種類；Ｓｉ半導体 ほか）
第３章 ＭＯＳ集積回路の構成と設計技術（ディジタル回路；アナログ回路 ほか）
第４章 ＭＯＳ集積回路の製造技術（製造環境；洗浄技術 ほか）
第５章 ＭＯＳ集積回路の信頼性技術（半導体デバイスの信頼性；半導体デバイスの信頼性評価 ほか）
著者等紹介
大山英典［オオヤマヒデノリ］
１９８２年豊橋技術科学大学修士課程修了。２０００年熊本電波高専教授。専門分野：半導体デバイスの放射線損傷機構
中林正和［ナカバヤシマサカズ］
１９８０年大阪府立大学修士課程修了。２００３年（株）ルネサステクノロジ。専門分野：半導体の信頼性、パワーデバイスのライフタイム制御
葉山清輝［ハヤマキヨテル］
１９９１年豊橋技術科学大学修士課程修了。２００７年熊本電波高専准教授。専門分野：半導体デバイスの放射線損傷機構
江口啓［エグチケイ］
１９９９年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程修了、博士（工学）。２００７年静岡大学准教授。専門分野：回路システム（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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