強誘電体メモリ―物理から応用まで

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サイズ B5判／ページ数 260p／高さ 24cm
商品コード 9784431710578
NDC分類 428.8
Cコード C3042

内容説明

１９２１年に強誘電性が発見されて以来、多くの科学者や技術者が夢みてきた低消費電力で高速な動作の「強誘電体メモリ」。近年ようやく実用化に向けての研究開発が大きく進展しはじめている。本書が目指すのは、現在の水準の強誘電体薄膜メモリに関してのデバイス物理学の知識と、回路設計、材料の作製方法や評価法、および試験の手順との融合である。エンジニアやデバイス物理の研究者はもちろん、電気工学や応用物理学の研究者・学生にとっても「初めての教科書」である。

ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭｓ：Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｉｅｓ）の基本特性
電気的な絶縁破壊（ＤＲＡＭおよびＮＶ‐ＲＡＭ）
リーク電流
容量の電圧依存性、Ｃ（Ｖ）
分極反転の動力学
電荷注入と分極疲労
周波数依存性
結晶相変化のシーケンス
ＳＢＴ関連化合物のＡｕｒｉｖｉｌｌｉｕｓ層状構造
成膜とプロセス
非破壊読み出し素子
強誘導体‐超伝導体複合素子：フェーズドアレー・レーダーと１０～１００ＧＨｚ素子
ウエハー接合
電子放射とフラットパネル・ディスプレー
光学素子
ナノフェーズ素子
欠点そして不都合（の原因）など

著者等紹介

田中均洋［タナカマサヒロ］
１９４９年１月１４日生。１９７５年北海道大学大学院物理学専攻修士課程修了。ソニー株式会社マイクロシステムズネットワークカンパニー、セミコンダクタ・テクノロジー開発本部テクノロジー・エキスパート、理学博士。誘電体、酸化物超伝導体、電池材料など酸化物材料の研究・開発に従事

磯辺千春［イソベチハル］
１９６１年１月３０日生。１９８６年早稲田大学大学院修士課程応用化学専攻修了。ソニー株式会社マテリアル研究所シニアリサーチャー。機能性材料の研究・開発に従事

三浦薫［ミウラカオル］
１９６２年７月１２日生。１９８９年東京大学大学院理学系研究科修士課程修了。ソニー株式会社マテリアル研究所、関西学院大学理工学部客員研究員併任、理学博士。専門は第一原理計算
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