内容説明
移動通信機器や光伝送システム等を支えている超高速エレクトロニクスについてわかりやすく述べている。シリコンおよび化合物半導体デバイスを取り上げ、高速性を実現させるための材料、構造、動作や特徴について解説している。
目次
１ 超高速デバイスと応用分野
２ 超高速デバイスの構造とその特徴
３ 超高速デバイス用材料と製造技術
４ シリコンバイポーラトランジスタ
５ 化合物半導体電界効果トランジスタ
６ 化合物バイポーラトランジスタ
７ 超高速デバイスの基本回路とシステム応用
８ その他の超高速デバイス
著者紹介
中村徹［ナカムラトオル］
１９７５年早稲田大学大学院理工学研究科博士課程修了（電気工学専攻）。１９８０年工学博士。現在、法政大学教授
三島友義［ミシマトモヨシ］
１９８３年東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了（電子物理工学専攻）。工学博士。現在、日立電線株式会社勤務。法政大学講師（兼務）
