内容説明
本書は、半導体技術の発展の大きな役割を担ってきた半導体デバイスの動作原理に関して詳しく解説している。１、２章はデバイス動作を理解するために必要となる量子力学を基礎とした物理について記してある。３章から６章はバイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタの動作を中心に記した。７章は近年、微細加工によりデバイス特性に量子力学的現象を生じることからトンネル現象を応用したデバイスに関して解説している。８章は集積回路以外のデバイスで、その動作原理が非常に重要と考えられるもののいくつかを取り上げている。ＬＳＩ関連デバイスから単一電子トンネルトランジスタなどの機能デバイスを解説した専門書は、初めてと思われる。
目次
１ 物質内電子の量子状態
２ 半導体の電子・光物性
３ ｐｎ接合ダイオードとショットキーダイオード
４ バイポーラトランジスタ
５ ＭＯＳトランジスタ
６ 集積回路素子
７ トンネルデバイス
８ 機能デバイス
著者等紹介
松尾直人［マツオナオト］
１９７８年京都大学工学部金属加工学科卒業。１９８０年京都大学大学院修士課程修了（金属加工学専攻）。１９８０年～９２年松下電器産業株式会社勤務（半導体研究・開発部門）。１９９３年博士（工学）（京都大学）。１９９４年山口大学助教授。現在に至る。専門に半導体物性、デバイス
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