目次
半導体結晶とエネルギー帯構造
半導体のキャリヤと電気伝導
ｐｎ接合の電流‐電圧特性と接合容量
金属と半導体の接合
バイポーラトランジスタの動作原理
金属‐絶縁体‐半導体（ＭＩＳ）構造
ＭＯＳＦＥＴの動作原理
ＭＯＳＦＥＴの微細化の歴史と集積回路の発展
化合物半導体デバイス
薄膜トランジスタ
半導体の光学特性
受光デバイス
発光デバイス
電力制御半導体デバイス
これからの半導体デバイス
著者等紹介
大村泰久［オオムラヤスヒサ］
１９７５年九州大学大学院工学研究科応用物理学専攻修士課程修了。１９８４年工学博士・九州大学。現在、関西大学大学院理工学研究科システムデザイン専攻教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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