ＣＶＤハンドブック

化学工学会【編】

朝倉書店（1991/06発売）

• サイズ A5判／ページ数 800,／高さ 23X17cm
• 商品コード 9784254252347
• NDC分類 549
• Cコード C3058

出版社内容情報

LSIをはじめ，薄膜，超微粒子，複合材料などの新素材製造に必須の技術であるCVD（化学的蒸着法）について，その定義，歴史から要素技術・周辺技術・装置設計に至るまで詳述した初の成書であり，材料技術者・デバイス技術者の指針。〔内容〕緒論／半導体（結晶Si，アモルファスSi，化合物）／セラミックス（カーボン，SiC，SiN，Ti系，BN，AlN，酸化物，他）／CVD反応装置の設計（熱CVD装置の設計，プラズマCVD反応装置，微粒子生成反応装置）

【目次】
1.　緒論
　1.1　CVDの定義と分類
　　1.1.1　CVDの定義と特徴
　　1.1.2　CVDの分類
　1.2　CVDの歴史
　　1.2.1　CVDの歴史と応用
　　1.2.2　半導体技術におけるCVDの歴史
　1.3　CVDプロセスの目標と選択肢
　　1.3.1　物質（組成と構造）
　　1.3.2　形態（形，スケール，均一性）
　　1.3.3　生産速度
　　1.3.4　生産条件（CVDの選択肢）
　1.4　要素技術・周辺技術
　　1.4.1　要素技術
　　1.4.2　周辺技術
　1.5　基本的事項
　　1.5.1　平衡関係
　　1.5.2　気相反応
　　1.5.3　気相内移動現象論
　　1.5.4　界面吸着・界面反応
　　1.5.5　核化・成長速度
2.　半導体
　2.1　結晶Siならびに周辺技術
　　2.1.1　緒言
　　2.1.2　単結晶Si
　　2.1.3　熱CVDによる多結晶Si及びアモルファスSi
　　2.1.4　金属膜
　　2.1.5　絶縁膜
　　2.1.6　まとめと将来展望
　2.2　アモルファスSi系半導体
　　2.2.1　はじめに
　　2.2.2　プラズマ法によるアモルファスSi
　　2.2.3　プラズマ法によるアモルファスSi合金
　　2.2.4　光CVD法
　　2.2.5　レーザーCVD法
　　2.2.6　ホモCVD法
　　2.2.7　励起種CVD法
　　2.2.8　マイクロ波プラズマCVD法
　　2.2.9　ECRプラズマCVD法
　　2.2.10　各種の成膜法の比較
　　2.2.11　課題と将来展望
　2.3　化合物半導体の結晶成長
　　2.3.1　III-V族化合物半導体のMOCVD
　　2.3.2　ワイドギャップIII-V族化合物半導体のCVD
　　2.3.3　ワイドギャップII-VI族化合物半導体のMOCVD
　　2.3.4　MOMBE
3.　セラミックス
　3.1　CVD法によるセラミック製造とその特徴
　3.2　カーボン
　　3.2.1　緒　言
　　3.2.2　炭素材料の物性
　　3.2.3　ダイヤモンド系炭素材料
　　3.2.4　グラファイト系炭素材料
　3.3　SiC
　　3.3.1　緒　言
　　3.3.2　SiCの構造と材料特性
　　3.3.3　SiC合成の基礎
　　3.3.4　各　論
　　3.3.5　まとめ
　3.4　SiN
　　3.4.1　序　論
　　3.4.2　SiNの合成方法と反応モデル
　　3.4.3　SiNの構造と材料特性
　　3.4.4　複合材
　　3.4.5　粉　体
　　3.4.6　まとめ
　3.5　Ti系化合物
　　3.5.1　緒　言
　　3.5.2　TiC
　　3.5.3　TiN
　　3.5.4　TiB2
　3.6　BN，AIN
　　3.6.1　序
　　3.6.2　BN
　　3.6.3　AIN
　3.7　酸化物
　　3.7.1　緒　言
　　3.7.2　Al2O3
　　3.7.3　ZrO2
　　3.7.4　WO3
　　3.7.5　酸化鉄
　　3.7.6　複合酸化物
　　3.7.7　超伝導体
　3.8　有機系プラズマCVD膜
　　3.8.1　はじめに
　　3.8.2　有機系プラズマCVD関連工業装置
　　3.8.3　有機プラズマCVDの反応挙動
　　3.8.4　有機プラズマCVD膜の特性と応用
4.　CVD反応装置の設計
　4.1　熱CVD装置の設計
　　4.1.1　熱CVD装置の形式と特徴
　　4.1.2　熱CVD装置の基本特性
　　4.1.3　平行流型熱CVD装置の設計
　　4.1.4　直交流型CVD装置の設計法
　　4.1.5　多葉式CVD装置の設計法
　　4.1.6　熱CVD速度とその周辺装置
　4.2　プラズマCVD反応装置
　　4.2.1　緒言
　　4.2.2　プラズマ構造
　　4.2.3　プラズマCVDの構造
　　4.2.4　プラズマCVDの設計指針
　　4.2.5　結　言
　4.3　微粒子生成反応装置
　　4.3.1　微粒子に期待される特性
　　4.3.2　微粒子生成装置の基礎的共通事項
　　4.3.3　CVD法による微粒子製造装置
　　4.3.4　CVD法による微粒子製造法の展望
5.　付　表：無機物質の物理化学的性質
6.　略語表
7.　索　引

【編集】
化学工業会
【編集委員】
今　石　宣　之，　上　山　惟　一
小長井　　　誠，　小宮山　　　宏
佐　藤　淳　一，　定　方　正　毅
菅　原　活　郎，　松　井　　　功
元　島　栖　二，　吉　野　淳　二
【著者】
阿　尻　雅　文，　磯　谷　計　嘉
今　石　宣　之，　池　田　　　洋
上　山　雄　一，　岡　野　泰　則
小長井　　　誠，　太　田　与　洋
大　島　　　喬，　大　村　敏　夫
影　近　　　博，　柿　木　　　寿
木　戸　公　和，　玖　野　峰　也
小宮山　　　宏，　小　宮　太　郎
佐　藤　淳　一，　定　方　正　毅
紫　垣　由　城，　霜　垣　幸　浩
菅　原　活　郎，　鈴　木　誉　也
生　地　　　望，　高　橋　亮　吉
高　橋　武　重，　竹　内　一　夫
綱　島　　　真，　塚　本　恵　三
戸　田　忠　夫，　中　尾　修　治
長　浜　邦　雄，　西　脇　　　彰
橋　本　　　登，　秦　　　信　宏
浜　田　幾　久，　林　　　　　篤
林　　　康　明，　平　田　　　彰
深　井　利　嗣，　二　木　昌　次
本　間　　　格，　丸　山　敏　郎
松　井　　　功，　前　田　和　夫
前　田　友　夫，　増　岡　登志夫
宮　　　博　信，　元　島　栖　二
安　田　榮　一，　安　田　哲　二
山　賀　重　來，　山　口　由岐夫
山　崎　禎　一，　吉　野　淳　二

目次

１　緒論
２　半導体
３　セラミックス
４　ＣＶＤ反応装置の設計
付表　無機物質の物理化学的性質