朝倉電気電子工学大系<br> ナノスケール・トランジスタの物理

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朝倉電気電子工学大系
ナノスケール・トランジスタの物理

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  • サイズ A5判／ページ数 184p／高さ 22cm
  • 商品コード 9784254226447
  • NDC分類 549.6
  • Cコード C3354

出版社内容情報

黎明期以降の素子の微細化期に焦点を当て、極微スケールでのトランジスタの機構・物理を解説。

名取研二［ナトリケンジ］
著・文・その他

目次

１　はじめに
２　半導体のキャリヤ輸送
３　フラックスを用いたキャリヤ輸送の解析
４　古典的なＭＯＳＦＥＴの理論
５　バリスティックなＭＯＳＦＥＴの理論
６　準バリスティックなＭＯＳＦＥＴへの拡張
７　微細系のＭＯＳキャパシタンス
８　ＭＯＳトランジスタの微細化限界

著者等紹介

名取研二［ナトリケンジ］
１９４５年山梨県に生まれる。１９７４年東京大学大学院物理学研究科博士課程修了。１９９０年（株）東芝ＵＬＳＩ研究所研究部長。１９９４年筑波大学物理工学系教授。２００９年東京工業大学特任教授を経て、筑波大学名誉教授。応用物理学会フェロー。理学博士（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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