出版社内容情報
トランジスタ回路から集積回路までを包括的に解説した教科書。〔内容〕ダイオード回路の解析／トランジスタ回路の基礎／電界効果トランジスタ／バイアス安定度／可聴周波電力増幅器／対数単位で表わした利得／抵抗とコンデンサの標準値
【目次】
1. ダイオード回路の解析
1.1 非線形特性；理想ダイオード
1.2 半導体ダイオード理論入門
1.3 簡単なダイオード回路の解析；直流負荷直線
1.4 小信号解析；動抵抗の概念
1.5 小信号解析；交流負荷直線
1.6 ダイオードアレイ
1.7 関数発生器
1.8 ダイオードの静電容量
1.9 ショットキー・ダイオード
1.10 ツェナー・ダイオード
1.11 温度効果
1.12 ダイオードの規格
1.13 参考文献
2. トランジスタ回路の基礎
2.1 接合トランジスタの電流輸送
2.2 トランジスタにおける電流増幅
2.3 トランジスタ回路の図式解法
2.4 電力の計算
2.5 無限大容量のバイパス・コンデンサ
2.6 無限大容量の結合コンデンサ
2.7 エミッタ・ホロワ
2.8 参考文献
3. 電界効果トランジスタ
3.1 JFETの動作原理
3.2 MOSFETの動作原理
3.3 ドレインとソースの交換
3.4 ｐチャネルFET
3.5 デプレッション型MOSFET
3.6 MOSFETインバータ
3.7 相補対称MOS
3.8 FETスイッチ
3.9 MOSFETにおける温度の影響
3.10 電荷結合素子
3.11 MOSFETの入力保護
3.12 電力用FET
3.13 参考文献
4. バイアス安定度
4.1 βの変化による動作点の移動
4.2 Ｑ点（動作点）の温度による影響
4.3 安定係数の解析
4.4 ダイオードバイアス回路を用いた温度補償
4.5 FETのバイアス安定度
4.6 トランジスタ増幅器の周囲温度の影響
4.7 大電力（Pc,max＞1W）トランジスタの規格
5. 可聴周波電力増幅器
5.1 Ａ級エミッタ接地電力増幅器
5.2 トランス結合増幅器
5.3 Ｂ級プッシュプル電力増幅器
5.4 コンプリメンタリ増幅器
6. 付 録
6.1 対数単位で表わした利得；デシベル（dB）
6.2 抵抗とコンデンサの標準値
6.3 電子素子の特性
内容説明
本書では電子回路の基礎的な理解を深めるために半導体の物理にも触れているが、焦点を半導体素子を使用する立場にしぼって記述してあり、物理的な意味の把握に重点をおいてある。電子回路の解析では、動作点をきめる段階で、特に図解法の重要性を強調している。
目次
第１章 ダイオード回路の解析
第２章 トランジスタ回路の基礎
第３章 電界効果トランジスタ
第４章 バイアス安定度
第５章 可聴周波電力増幅器
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