目次
第１章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製（Ｓｉ表面上Ｇｅ歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成；高規則化刃状転位ネットワーク形成による均一歪Ｓｉ１－ＸＧｅＸ・Ｇｅ層の創製 ほか）；第２章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製（原子操作による表面物質創製；原子操作による導電性分子デバイス）；第３章 自己組織化によるナノワイヤ、ナノドット形成（ＶＬＳ法によるナノワイヤ成長；シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造、３次元構造 ほか）；第４章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製（基板表面上のグラフェンの創製；表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御）
