Fundamental and Applied Problems of Terahertz Devices and Technologies: Selected Papers from the Russia-japan-usa-europe Symposium (Rjuse Teratech-2016) (Selected Topics in Electronics and Systems)

個数:

Fundamental and Applied Problems of Terahertz Devices and Technologies: Selected Papers from the Russia-japan-usa-europe Symposium (Rjuse Teratech-2016) (Selected Topics in Electronics and Systems)

  • 提携先の海外書籍取次会社に在庫がございます。通常3週間で発送いたします。
    重要ご説明事項
    1. 納期遅延や、ご入手不能となる場合が若干ございます。
    2. 複数冊ご注文の場合は、ご注文数量が揃ってからまとめて発送いたします。
    3. 美品のご指定は承りかねます。

    ●3Dセキュア導入とクレジットカードによるお支払いについて
  • 【入荷遅延について】
    世界情勢の影響により、海外からお取り寄せとなる洋書・洋古書の入荷が、表示している標準的な納期よりも遅延する場合がございます。
    おそれいりますが、あらかじめご了承くださいますようお願い申し上げます。
  • ◆画像の表紙や帯等は実物とは異なる場合があります。
  • ◆ウェブストアでの洋書販売価格は、弊社店舗等での販売価格とは異なります。
    また、洋書販売価格は、ご注文確定時点での日本円価格となります。
    ご注文確定後に、同じ洋書の販売価格が変動しても、それは反映されません。
  • 製本 Hardcover:ハードカバー版/ページ数 138 p.
  • 言語 ENG
  • 商品コード 9789813223271
  • DDC分類 621.3813

Full Description

Terahertz (THz) electromagnetic waves, phenomena in the THz range and related technological issues have been explosively investigated during the recent two decades. However, its potential as a disruptive technology to commercial applications has yet to make any impression.The Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental and Applied Problems of Terahertz Devices and Technologies (RJUSE-TeraTech 2016), held at Katahira Campus of Tohoku University, Sendai, Japan on October 31 - November 4, 2016, aims to bring together researchers from Russia, Japan, USA and Europe, who are working on the broad range of related problems in the terahertz devices, technologies and applications, to discuss on state-of-the-art results and future directions and collaborations in the development of THz.This is the fifth in the series of preceding successful symposiums in Terahertz Devices and Technologies. It contains 14 selected extended papers presented at the RJUSE-TeraTech 2016 symposium, addressing the variety of topics, in particular, THz detectors based on double heterojunction bipolar transistors (DHBT) and field effect transistors (FET) utilizing resonant plasma effects, quantum cascade (QCL) and HgCdTe quantum-well heterostructures, and graphene-based THz devices.

最近チェックした商品