Electrical Design of through Silicon Via

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Electrical Design of through Silicon Via

Lee, Manho (EDT)/ Pak, Jun So (EDT)/ Kim, Joungho (EDT)

ウェブストア価格 ¥24,004（本体¥21,822）
Springer（2016/09発売）
外貨定価 US$ 109.99
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版／ページ数 280 p.
言語 ENG
商品コード 9789401779494
DDC分類 621

Full Description

Through Silicon Via (TSV) is a key technology for realizing three-dimensional integrated circuits (3D ICs) for future high-performance and low-power systems with small form factors. This book covers both qualitative and quantitative approaches to give insights of modeling TSV in a various viewpoints such as signal integrity, power integrity and thermal integrity. Most of the analysis in this book includes simulations, numerical modelings and measurements for verification. The author and co-authors in each chapter have studied deep into TSV for many years and the accumulated technical know-hows and tips for related subjects are comprehensively covered.

Preface.- 1 Introduction.- 2 Electrical Modeling of a Through-Silicon Via (TSV).- 3 High-speed TSV-based Channel Modeling and Design.- 4 Noise Coupling and Shielding in 3D ICs.- 5 Thermal Effects on TSV Signal Integrity.- 6 Power Distribution Network (PDN) Modeling and Analysis for TSV and Interposer-based 3D-ICs in the Frequency Domain.- 7 TSV Decoupling Schemes.- Index.