Sozdanie fotoshablonow metodom lazernoj bezmaskowoj litografii

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Sozdanie fotoshablonow metodom lazernoj bezmaskowoj litografii

Shnqgina, Elena Anatolewna

ウェブストア価格 ¥10,116（本体¥9,197）
LAP Lambert Academic Publishing（2019/04発売）
外貨定価 EUR 35.90
ポイント 91pt

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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版
商品コード 9783659964565

Description

Osnownoe mesto w sowremennoj tehnologii izgotowleniq izdelij mikroälektroniki zanimaet fotolitografiq. Tehnologicheskij process fotolitografii sostoit iz neskol'kih osnownyh operacij: podgotowki powerhnosti poluprowodnikowoj plastiny, naneseniq na powerhnost' plastiny sloq fotorezista, sushki fotorezista, äxponirowaniq, proqwleniq i zadubliwaniq fotorezista, kontrolq geometricheskih razmerow izobrazheniq, trawleniq plenki, promywki plastiny posle trawleniq, udaleniq plenki fotorezista s powerhnosti, kontrolq obrabotannyh plastin. Cel'ü raboty qwlqlos' poluchenie fotoshablonow s minimal'nymi parametrami, wozmozhnymi dlq dannogo oborudowaniq. Dlq ätogo issledowalos' wliqnie wremeni äxpozicii i wremeni proqwleniq na parametry fotoshablonow (harakter risunka), poluchennyh metodom bezmaskowoj lazernoj litografii na ustanowke äxponirowaniq "Heidelberg µPG501". V rezul'tate wypolneniq raboty byli izgotowleny fotoshablony s geometricheskimi parametrami 2 mkm, pri ätom dlq dannoj partii ustanowleny optimal'nye wremq äxpozicii 35 ms i wremq proqwleniq 60 s . Shnqgina, Elena Anatol'ewna
Elena Anatol'ewna Shnqgina - student (magistr) Nacional'ngo issledowatel'skogo tehnologicheskgo uniwersiteta "MISiS", Institut nowyh materialow i nanotehnologij.