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Description
(Text)
Die immer starker werdende praktische Ausnutzung naturwissen schaftlicher Entdeckungen hat dazu gefiihrt, daB der Weg von der Naturforschung zur Technik kiirzer geworden ist und daB eine viel groBere Zahl von Physikern, Chemikern und Ingenieuren an diesem Wege teilhat, als es etwa vor wenigen Jahrzehnten noch der Fall war. Dies trifft. in hohem MaBe fiir die Entwicklung des neuen Verstarkerelementes "Transistor" zu, angefangen von grundlegenden Versuchen an halb leitenden Kristallen und der Entdeckung des Transistorprinzips bis zu den heute serienmaBig gefertigten Flachentransistoren. In fast allen Gebieten der Elektronik wird der Transistor in steigendem MaBe verwendet. In Verbindung damit sind in relativ kurzer Zeit iiber seine Theorie und Anwendung wertvolle Beitrage in groBer Zahl erschienen. Andererseits fehlte u. E. bisher in der deutschsprachigen Literatur eine methodische Behandlung der Probleme, die bei der Verwendung von Transistoren in der Praxis auftreten. Mit dem vorliegenden Buch soli versucht werden, diese Liicke zu schlieBen. Wir haben uns bemiiht, sorgfaltig jenes Material auszuwahlen und zusammenzustellen, das uns fiir die Einfiihrung in die Schaltungs technik des Transistors unerlaBlich oder zumindest wichtig erscheint.
(Table of content)
I. Einleitung.- II. Physikalische Grundlagen.- 1. Elektrische Leitungsvorgänge im Halbleiterkristall.- 2. Mchtgleiehgewichtszustände.- 3. p-n-Übergang.- 4. Wirkungsweise des Transistors.- III. Eigenschaften des Transistors.- A. Statische Eigenschaften.- B. Einige besondere physikalische Effekte.- C. Dynamische Eigenschaften.- D. Strom- und Spannungsabhängigkeit der Kennwerte.- E. Temperaturabhängigkeit der Kennwerte.- F. Thermisch-elektrische Wechselwirkungen.- G. Bauschen.- IV. Schaltungstechnik.- A. Allgemeine Überlegungen.- B. Einstellung des Arbeitspunktes.- C. Niederfrequenzverstärker.- D. Hochfrequenzverstärker.- E. Impuls- und Schalterbetrieb.- A. 1 Formelzeichen, Definitionen und Schreibweisen.- A. 2 Einige Vierpolgleichungen und ihre Transformationen.- A. 3 Herleitung einiger Gleichungen für den inneren Transistor.- A. 4 Sperrschichtkapazität und Sperrschichtdicke.- A. 5 Herleitung von Formeln für den Schalterbetrieb bei Widerstandslast.- A. 6 Ersatzwerte für die Sperrschichtkapazitäten.- A. 7 Kenndatenübersicht eines HF-Schalt-Transistors.
(Author portrait)
Karl Wagner, geboren 1941 in Szamocin (Posen), Msgr. Mag. Nach Aufgaben in der Pfarrseelsorge und Schule, war er 30 Jahre in der Trauer- und Friedhofspastoral tätig und Leiter des Referates für den Einsegnungsdienst in der Erzdiözese Wien.
Contents
I. Einleitung.- II. Physikalische Grundlagen.- 1. Elektrische Leitungsvorgänge im Halbleiterkristall.- 2. Mchtgleiehgewichtszustände.- 3. p-n-Übergang.- 4. Wirkungsweise des Transistors.- III. Eigenschaften des Transistors.- A. Statische Eigenschaften.- B. Einige besondere physikalische Effekte.- C. Dynamische Eigenschaften.- D. Strom- und Spannungsabhängigkeit der Kennwerte.- E. Temperaturabhängigkeit der Kennwerte.- F. Thermisch-elektrische Wechselwirkungen.- G. Bauschen.- IV. Schaltungstechnik.- A. Allgemeine Überlegungen.- B. Einstellung des Arbeitspunktes.- C. Niederfrequenzverstärker.- D. Hochfrequenzverstärker.- E. Impuls- und Schalterbetrieb.- A. 1 Formelzeichen, Definitionen und Schreibweisen.- A. 2 Einige Vierpolgleichungen und ihre Transformationen.- A. 3 Herleitung einiger Gleichungen für den inneren Transistor.- A. 4 Sperrschichtkapazität und Sperrschichtdicke.- A. 5 Herleitung von Formeln für den Schalterbetrieb bei Widerstandslast.- A. 6 Ersatzwerte für die Sperrschichtkapazitäten.- A. 7 Kenndatenübersicht eines HF-Schalt-Transistors.
