Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics) （2011）

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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design (Springer Series in Advanced Microelectronics) （2011）

Ishibashi, Koichiro (EDT)/ Osada, Kenichi (EDT)

ウェブストア価格 ¥24,158（本体¥21,962）
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K（2013/11発売）
外貨定価 US$ 109.99
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版／ページ数 144 p.
言語 ENG
商品コード 9783642270185
DDC分類 621.381

Full Description

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.