Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials (Springer Theses)

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Charge and Spin Transport in Disordered Graphene-Based Materials (Springer Theses)

Van Tuan, Dinh

ウェブストア価格 ¥11,380（本体¥10,346）
Springer International Publishing AG（2016/08発売）
外貨定価 US$ 54.99
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版／ページ数 153 p.
言語 ENG
商品コード 9783319370545

Full Description

This thesis presents an in-depth theoretical analysis of charge and spin transport properties in complex forms of disordered graphene. It relies on innovative real space computational methods of the time-dependent spreading of electronic wave packets. First a universal scaling law of the elastic mean free path versus the average grain size is predicted for polycrystalline morphologies, and charge mobilities of up to 300.000 cm2/V.s are determined for 1 micron grain size, while amorphous graphene membranes are shown to behave as Anderson insulators. An unprecedented spin relaxation mechanism, unique to graphene and driven by spin/pseudospin entanglement is then reported in the presence of weak spin-orbit interaction (gold ad-atom impurities) together with the prediction of a crossover from a quantum spin Hall Effect to spin Hall effect (for thallium ad-atoms), depending on the degree of surface ad-atom segregation and the resulting island diameter.

Introduction.- Electronic and Transport Properties of Graphene.- The Real Space Order O(N) Transport Formalism.- Transport in Disordered Graphene.- Spin Transport in Disordered Graphene.- Conclusions.