Differentiated Layout Styles for MOSFETs : Electrical Behavior in Harsh Environments （2023）

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Differentiated Layout Styles for MOSFETs : Electrical Behavior in Harsh Environments （2023）

Gimenez, Salvador Pinillos/ Galembeck, Egon Henrique Salerno

ウェブストア価格 ¥23,074（本体¥20,977）
Springer International Publishing AG（2023/05発売）
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製本 Hardcover:ハードカバー版／ページ数 216 p.
言語 ENG
商品コード 9783031290855
DDC分類 621.3815284

Full Description

This book describes in detail the semiconductor physics and the effects of the high temperatures and ionizing radiations in the electrical behavior of the Metal-OxideSemiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs), implemented with the first and second generations of the differentiated layout styles. The authors demonstrate a variety of innovative layout styles for MOSFETs, enabling readers to design analog and RF MOSFETs that operate in a high-temperature wide range and an ionizing radiation environment with high electrical performance and reduced die area.

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Basic concepts of the semiconductor physics.- Chapter 3. The electrical characteristics of the semiconductor at high temperatures.- Chapter 4. The MOSFET.- Chapter 5. The First Generation of the Unconventional Layout Styles for MOSFETs.- Chapter 6. The Ionizing Radiations Effects in Electrical Parameters and Figures of Merit of MOSFETs.- Chapter 7. The Ionizing Radiations Effects in Electrical Parameters and Figures of Merit of MOSFETs.- Chapter 8. The High Temperature Effects in Electrical Parameters of Mosfets and the Results Obtained of the First and Second Generation.