出版社内容情報
経験から科学へ！化学・機械研磨技術の知見をベースに「半導体プロセス」を可能な限り「サイエンス」として捉え直す
目次
第１章 半導体プロセスとCMP
１ 半導体プロセスにおける平坦化
２ CMP技術の歴史的経緯
第２章 CMPのメカニズム
１ ウェットプロセスにおける界面現象
２ ポリシングのメカニズム
３ 硬質材料のメカノケミカルポリシング
第３章 CMPの力学的要因
１ 加工精度確保のための力学的考察
２ CMP装置の構成要素における弾性変形の影響
３ CMPの装置構成要素とその機能
第４章 研磨布の役割と機能
１ 研磨布の静的・動的変形挙動
２ 研磨布の力学的特性とウェハ形状
３ 研磨パッドの構造と特徴
第５章 超微粒子研磨剤の特徴と製造法
１ CMP用ポリシュ剤総論
２ シリカ系研磨剤
３ アルミナ系研磨材
４ 酸化セリウム系研磨材
５ その他の研磨剤
６ スラリーの構成
第６章 CMP後の表面状態の測定とその清浄化
１ CMP後の表面測定とその実例
２ CMP後の表面清浄化およびその評価
３ CMP後の洗浄技術 ―ケミカルメカニカルクリーニング―
第７章 SiのCMP
１ 単結晶SiのCMP
２ 超平坦化のための形状制御
３ CMP表面の完全性
４ 洗浄
５ デバイス応用
第８章 絶縁膜のCMP
１ 酸化膜CMPの基礎と応用
２ 有機SOGのCMP
３ 各種ガラス材料
第９章 W膜のCMP
１ 各種砥粒によるCMP
２ 加工形状
３ W CMPの課題と展望
第10章 Al，Cu膜のCMP
１ Al-CMP
２ Cu-CMP
３ AlおよびCuのCMPによる埋め込み配線技術の課題と展望
第11章 CMPの将来展望
１ 固定砥粒研磨によるCMPの可能性
２ EPD研削法
３ メカノケミカル砥石
４ フライカッティング
５ PACE（Plasma Assisted Chemical Etching）技術
内容目次
発刊にあたって
用語解説
第１章 半導体プロセスとCMP
１ 半導体プロセスにおける平坦化〔柏木正弘〕
1. CMP技術が半導体デバイス／プロセスにもたらす新しい技術的可能性
1.1 幾何学的に平坦なデバイス表面の実現
1.2 材料の埋め込み構造の実現
2. 平坦化技術の課題
２ CMP技術の歴史的経緯〔前田和夫〕
1. VLSIへのCMP技術の応用
2. Isolation構造へのCMPの応用
3. CMPに関するIBMの特許
4. CMPに関する国内企業からの特許
5. CMP技術開発の動機（etch-back法）
6. 平坦化技術の原点
7. 機械的研磨によるデバイス表面の平坦化
第２章 CMPのメカニズム
１ ウェットプロセスにおける界面現象〔村川享男〕
1. 加工界面のイメージ
1.1 金属表面のイメージ
1.2 セラミックス表面
1.3 半導体表面
1.4 ガラスの表面
2. 加工界面で起こる化学反応
2.1 砥粒と被加工体それぞれの表面反応
2.2 砥粒と被加工体の両者の接触の結果として起こる固相反応
2.3 削り取られた被加工体表面で起こる新生面反応
3. 表面層の生成と構造
3.1 吸着層
3.2 表面付着
3.3 自然酸化皮膜
3.4 コンバージョン・コーティング
２ ポリシングのメカニズム〔安永暢男〕
1. ポリシングメカニズムに関する従来説の概要
1.1 微小切削説
1.2 表面流動説
1.3 化学作用説
2. 超精密ポリシング法とそのメカニズム
2.1 「メカニカル」ポリシング
2.2 「メカニカル＋ケミカル」ポリシング
2.3 「ケミカル」ポリシング
3. ポリシングにおける化学反応の特異性
３ 硬質材料のメカノケミカルポリシング〔安永暢男〕
1. メカノケミカルポリシングの原理と特徴
2. サファイヤのメカノケミカルポリシング
3. 水晶のメカノケミカルポリシング
4. シリコンのメカノケミカルポリシング
5. Si3N4およびSiCのメカノケミカルポリシング
第３章 CMPの力学的要因
１ 加工精度確保のための力学的考察〔土肥俊郎〕
1. プラナリゼーション・ポリシング／CMPにおける要素技術
2. 加工精度に関わる考察
2.1 加工装置の運動機構
2.2 加工用工具としてのパッド（ポリシャ）
2.3 ウェハ保持・加圧機構
2.4 その他
２ CMP装置の構成要素における弾性変形の影響〔渡邉純二〕
1. CMP装置の研磨性能に関連する構成要素
2. 装置剛性の加工特性への影響
2.1 シングルヘッド系におけるヘッドアームと変形
2.2 研磨プレートの支持剛性の影響
3. パッド構成の影響
3.1 表面基準研磨におけるパッド構成の影響
3.2 デバイスパターンの平坦化とパッド弾性率
3.3 パッド摩耗にともなうハイドロダイナミック効果の影響
4. ウェハ保持機構系の効果
4.1 ダイヤフラムを介した圧縮空気の支持方式
4.2 真空チャックによるウェハ保持
4.3 リテーナによるウェハ周辺形状への影響
３ CMPの装置構成要素とその機能〔木下正治〕
1. CMP装置の基本構成
2. 加工精度の確保と装置要素
2.1 研磨ヘッド機構
2.2 回転定盤およびその駆動機構
2.3 研磨布表面状態維持機構
2.4 研磨終点検出機構
3. 清浄雰囲気の確保
4. 生産性の向上
第４章 研磨布の役割と機能
１ 研磨布の静的・動的変形挙動〔黒部利次〕
1. 粘弾性測定装置と測定方法
1.1 測定装置
1.2 測定方法
2. 測定結果
2.1 負荷荷重の影響
3. パッドの変形特性と研磨機構
２ 研磨布の力学的特性とウェハ形状〔左光大和〕
1. 粘弾性特性測定装置
2. ポリシング実験
3. ポリシング実験結果
4. 粘弾性特性の解析
5. 平坦度と粘弾性特性
３ 研磨パッドの構造と特徴〔寺R忠士〕
1. CMP用研磨パッドの現状
1.1 IC1000／Suba400
1.2 Supreme RN－H
1.3 MH
1.4 研磨パッドの表面加工
2. 現状研磨パッドの問題点
2.1 バラツキ
2.2 平坦化効率の不足
2.3 高純度研磨パッド
3. 新規研磨パッド
3.1 IC1000タイプA
3.2 IC1400
3.3 IC2000
3.4 XHGM1158／Buffed Foam
3.5 フルオロカーボン系研磨パッド
3.6 洗浄用淡色研磨パッド
4. 研磨パッドの物性測定方法
4.1 現状の研磨パッドの物性測定
4.2 今後の物性測定検討項目
第５章 超微粒子研磨剤の特徴と製造法
１ CMP用ポリシュ剤総論〔松永正久〕
1. CMP用ポリシュ剤の具備すべき条件
2. ポリシングの研究とポリシュ剤
3. シリカ系ポリシュ剤
4. 酸化アルミニウム（アルミナ）
5. 酸化セリウム（セリア）
5.1 ガラスポリシュにおけるセリアポリシュ剤
5.2 シリコン表面酸化物のCMP用ポリシュ剤
6. 各種ゾルのポリシュ剤としての可能性
7. ダイヤモンド研削および超微粒子ダイヤモンド
7.1 ダイヤモンド研削
7.2 ダイヤモンドによるポリシング
8. その他のポリシュ剤
8.1 酸化クロム
8.2 酸化鉄
9. CMPを念頭においた新開発のポリシュ剤
２ シリカ系研磨剤
1. フュームドシリカの製法とその性質〔落合 満／石田昌司〕
1. 製造法
2. 特 性
2.1 結晶構造と形態
2.2 フュームドシリカの一般特性
2.3 純 度
2.4 表面化学
2.5 水分の吸脱着
2.6 表面電位と酸性
2.7 各種化合物との反応
2.8 溶解性
2.9 屈折率
2.10 熱伝導率
2.11 その他の物理化学特性
2.12 フュームドシリカ水分散液の特性
3. 複合酸化物（Mixed Oxide）のメタルCMPスラリーへの応用の可能性
4. フュームドシリカの安全性
２ シリカ系研磨剤
2. コロイダルシリカの製造法とその性質〔吉田明利〕
1. コロイダルシリカの製法
2. コロイダルシリカの特徴
３ アルミナ系研磨材〔鈴村 聡〕
1. アルミナ研磨材の分類と特徴
1.1 仮焼アルミナ研磨材
1.2 溶融アルミナ研磨材
1.3 気相酸化法によるアルミナ
2. アルミナ研磨材の製造方法
2.1 微粒子仮焼アルミナ研磨材
2.2 溶融アルミナ研磨材
2.3 気相酸化法によるアルミナ
４ 酸化セリウム系研磨材〔塙 健三〕
1. ガラスの研磨に使われる酸化セリウム系研磨材
2. 化学・機械研磨における化学反応
3. 半導体製造におけるCMP用研磨材
５ その他の研磨剤
1. 二酸化マンガン系〔岸井貞浩〕
1. MnO2研磨剤の製法
2. SiO2膜の研磨特性
3. 研磨剤の廃棄（環境問題）について
５ その他の研磨剤
2. 酸化物ゾル〔吉田明利〕
1. 酸化物ゾルの製法
2. 酸化物ゾルの一般物性
3. 酸化物ゾルの研磨物性
５ その他の研磨剤
3. 超微粒ダイヤモンド〔牧田 寛〕
1. 人造ダイヤモンドの歴史と現状
2. 超微粒ダイヤモンド
2.1 超微粒ダイヤモンドの性質
2.2 フロキュレーションと凝集
2.3 凝集原因不純物の同定
3. 超微粒ダイヤモンドの精製
3.1 低温酸処理法
3.2 溶融塩処理法
3.3 高温酸処理法1
3.4 高温酸処理法2
4. 精製後の超微粒ダイヤモンドの性質
4.1 親水性の向上
4.2 ダイヤモンド表面のエッチング
4.3 ラマン散乱分光
６ スラリーの構成〔児玉一志〕
1. スラリーの構成
1.1 砥 粒
1.2 添加剤
2. スラリー組成と研磨性能
2.1 シリコンウェハのポリシング材
2.2 CMPスラリーの循環使用
2.3 ポリシリコン用スラリーのアミン添加量と選択性
第６章 CMP後の表面状態の測定とその清浄化
１ CMP後の表面測定とその実例〔熊谷多賀史〕
1. CMP後の表面状態の測定の目的
2. 測定方式と測定結果
2.1 測定の具体例
2.2 膜厚測定以外の測定方法
3. 膜厚測定の問題点と今後の課題
4. 今後の課題
２ CMP後の表面清浄化およびその評価〔松永正久〕
1. 洗浄に関する総論
1.1 洗浄の汎用性
1.2 半導体の洗浄
2. CMPによる表面汚染・欠陥とその除去
2.1 CMPによる表面汚染・欠陥
2.2 CMP後の洗浄
3. Hetheringtonの清浄化法
3.1 清浄化の条件
3.2 酸化物CMP後の清浄化
3.3 CMP後の清浄化方法
4. 東芝の発表
4.1 物理洗浄（スクラバー洗浄）
4.2 ケミカル洗浄
5. 表面評価について
5.1 生産ライン上測定とライン外測定
5.2 CMP関連の測定の目標
5.3 Hetheringtonの報告
5.4 Tencorによる測定
３ CMP後の洗浄技術 ―ケミカルメカニカルクリーニング―〔山下義典〕
1. CMPプロセス
2. 洗浄の基本コンセプト
3. 装置の構成
4. プロセス結果
5. CMP装置とのインテグレーション
6. 今後の課題
第７章 SiのCMP
１ 単結晶SiのCMP〔桝村 寿／工藤秀雄〕
1. シリコンウェハの加工工程
1.1 外周研削・OF／ノッチ加工
1.2 切断加工
1.3 面取り加工
1.4 ラッピング加工
1.5 エッチング加工
1.6 鏡面面取り加工
1.7 鏡面研磨（CMP）加工
1.8 洗浄工程
2. シリコンウェハのCMPプロセス装置および方法
2.1 CMPプロセス装置
2.2 シリコンウェハの研磨方法
3. シリコンウェハのCMPプロセスに要求される加工品質
3.1 平坦度
3.2 表面粗さ（マイクロラフネス）
3.3 加工歪
4. シリコンウェハのCMP加工技術の今後の課題
２ 超平坦化のための形状制御
1. 両面ポリッシュ〔甲斐文隆〕
1. 平坦度の定義
2. 次世代Siウェハに要求される品質
2.1 品質動向
2.2 次世代Siウェハの裏面仕様
3. 両面ポリッシュの構造と加工原理
3.1 両面ポリッシュの構造
3.2 両面ポリッシュの品質の作り込み
3.3 両面ポリッシュの課題
２ 超平坦化のための形状制御
2. 均等研磨〔稲田安雄〕
1. 精密研磨の定義
2. 均等研磨
2.1 相対速度
2.2 均等圧力
3. 研磨装置
3.1 装置の構造材料
3.2 定盤構造と複合運動
3.3 ヘッド構造と均一加圧
3.4 研磨レイトの安定化とドレッシング
4. 研磨結果
4.1 複合運動による研磨
4.2 バックエアーによる研磨
5. 今後の展開
３ CMP表面の完全性〔森田悦郎〕
1. COPとパーティクルの区別
1.1 COPのサイズ分布
1.2 COPの形状
1.3 分離方法
2. ヘイズとマイクロラフネス
3. 加工変質層
3.1 サーマルウェーブ
3.2 熱膨張変異計測法
４ 洗 浄〔大見忠弘／森田博志〕
1. ウェット洗浄
1.1 ウェット洗浄の要件
1.2 RCA洗浄とUCT洗浄
1.3 不純物除去のメカニズム
2. 微粒子除去
3. 金属汚染除去
4. 有機物汚染除去
5. リンス工程
6. トータルプロセス
7. 枚葉式ウェット洗浄機
8. CMP後の洗浄
５ デバイス応用
1. 貼り合わせSOIウェハのCMP〔田中好一〕
1. 貼り合わせSOIウェハの概要
2. 貼り合わせSOIウェハの製造工程
3. 貼り合わせSOIウェハのCMP
4. 貼り合わせSOIウェハのCMPの要素技術
4.1 研磨ヘッドの構造
4.2 研磨布の構造
4.3 薄い貼り合わせSOIウェハのCMP
５ デバイス応用
2. Poly Si CMPプロセスについて〔宮下直人／安部正泰〕
1. ポリッシング性能を決めるパラメータ
1.1 研磨スラリー
1.2 研磨パッド
1.3 ウェハ保持方法
1.4 コンディショニング
1.5 プロセス温度
2. CMPがデバイス特性に与える影響について
2.1 機械的プラナリゼーション加工におけるクリーン化
2.2 スクラッチング
2.3 オーバーポリッシュ
第８章 絶縁膜のCMP
１ 酸化膜CMPの基礎と応用〔林 喜宏〕
1. 酸化膜CMPと関連基礎工学
2. スラリー物性とCMP
2.1 スラリー組成
2.2 固液分散系の物理化学とCMP
3. 層間膜平坦化のメカニックス
3.1 CMPによる平坦化現象
3.2 高平坦化効率に向けての技術戦略
4. スラリーリサイクル技術
２ 有機SOGのCMP〔本間喜夫〕
1. 低誘電率層間絶縁膜を用いた多層配線
1.1 低誘電率層間絶縁膜構造とCMP
1.2 有機SOGを用いた低誘電率絶縁膜技術
2. 有機高分子樹脂の研磨
3. 有機SOGのCMP
3.1 シリカ研磨剤を用いたCMP
3.2 CMP速度の向上
3.3 高純度の酸化セリウム粉末
3.4 CeO2粉末の種類と研磨特性
3.5 選択研磨のメカニズム
4. 多層配線の試作
4.1 有機SOGのCMPを用いた多層配線プロセス
4.2 平坦化効果と配線特性
5. 今後の課題
３ 各種ガラス材料〔泉谷徹郎〕
1. ガラスの研磨機構
1.1 研磨速度とガラスの物理化学的性質との関係
1.2 水和層の形成
1.3 研磨過程
1.4 研磨機構のまとめ
2. 研磨剤（砥粒）
2.1 研磨に及ぼす研磨剤の効果
2.2 研磨剤の硬さと研磨速度の関係
2.3 研磨剤の働きと物性―まとめ
3. ポリッシャー
3.1 ポリッシャーの機能
3.2 ポリッシャーの粘弾性的性質
3.3 ポリッシャーのレオロヂカルな性質と研磨速度，表面粗さ，形状精度との関係
3.4 ポリッシャーについてのまとめ
4. シリカガラスの研磨機構
4.1 石英ガラスの研磨と化学反応
4.2 石英ガラスの研磨に及ぼす研磨剤の影響
4.3 石英ガラスの研磨過程
第９章 W膜のCMP
１ 各種砥粒によるCMP
1. タングステンCMP（アルミナ系）〔矢野博之〕
1. タングステンCMPの特徴
2. タングステンCMPによるダマシンプロセス
3. アルミナを用いたCMP後洗浄
１ 各種砥粒によるCMP
2. 二酸化マンガン系〔岸井貞浩〕
1. MnO2研磨剤の特長
2. 研磨特性
２ 加工形状〔岸井貞浩〕
1. 研磨を使ったプラグの形成方法
2. エッチバックから研磨が採用された経緯
3. 研磨プロセスのモデル
4. 研磨プロセスの課題および問題点
4.1 キーホール（keyhole）
4.2 シニング（thinning）
4.3 ディッシング（dishing）
4.4 研磨後の洗浄
4.5 ディンプル（dimple）
4.6 スクラッチ
4.7 終点検出
4.8 装置の腐食
4.9 スループット
4.10 プロセスコスト
4.11 環境への問題
３ W CMPの課題と展望〔有本由弘〕
1. W CMPの課題
1.1 研磨剤の制御
1.2 研磨速度比
1.3 研磨剤の循環再使用
1.4 研磨布の課題
1.5 研磨終点の検出
1.6 層間膜CMPとの共通化
2. これからのW CMPプロセス
2.1 デュアルダマシン
2.2 W CMPからAl，Cu CMPへ
第10章 Al，Cu膜のCMP
１ Al-CMP〔角田一夫 〕
1. ウェハプロセスにおけるAl-CMPの使用工程
1.1 Al プラグ
1.2 Al ダマシン配線
2. Al 埋め込み方法
2.1 CVD-Al
2.2 PVD-Al
3. Al-CMP
3.1 スラリー
3.2 パッド
3.3 研磨方法と後洗浄
4. Al-CMPによるプラグコンタクトとダマシン配線のエレクトロマイグレーション
4.1 プラグコンタクト特性
4.2 ダマシン配線のエレクトロマイグレーション特性
２ Cu-CMP〔星野雅孝〕
1. Cu配線形成方法
1.1 RIE
1.2 CMP
2. Cu埋め込み方法
2.1 CVD-Cu
2.2 スパッタ・リフローおよびめっき
3. Cu-CMP
4. CuダマシンおよびCMPの利点と問題点
4.1 エレクトロマイグレーション
4.2 その他の利点と問題点
３ AlおよびCuのCMPによる埋め込み配線技術の課題と展望〔有田睦信〕
1. 埋め込み配線の特徴と工程
2. AlおよびCu配線技術の適用領域とCMP技術の課題
第11章 CMPの将来展望
１ 固定砥粒研磨によるCMPの可能性〔中川威雄〕
1. CMPの特徴と技術課題
1.1 凸部除去
1.2 硬さの異なる異材質の同時加工
1.3 グローバル平坦化
1.4 微細な加工マージン
1.5 表面粗さと表面損傷
1.6 終点検出
1.7 ポリシャの使用中の変化
2. CMPと砥粒加工機械
2.1 機械と工具と材料
2.2 強制切り込み方式の研削盤
2.3 自己倣いが可能なポリシング加工
2.4 小径砥石による自己倣い研削加工
3. ポリシャの工夫と固定砥粒の可能性
3.1 多孔質軟質ポリシャの改良
3.2 固定砥粒ポリシャ
２ EPD研削法〔池野順一〕
1. EPD研削切断法
1.1 加工原理
1.2 加工性能
2. EPDペレットの作製および研削・研磨への適用
2.1 EPDペレットの作製法
2.2 砥石の物理特性
2.3 砥石の加工性能
３ メカノケミカル砥石〔安永暢男〕
1. メカノケミカル砥石の特徴と優位性
2. BaCO3砥石の試作と加工特性
3. その他のメカノケミカル砥石
４ フライカッティング〔平田照人〕
1. フライカッティング
2. フライカッティングのその他の問題
3. フライカットの応用
５ PACE（Plasma Assisted Chemical Etching）技術〔中野正剛〕
1. 装置概要
1.1 測定系
1.2 エッチング反応系
2. SOIウェハの薄膜化プロセス
3. SOIウェハのPACEによる薄膜化
4. PACE後のSOIウェハの品質評価
4.1 重金属汚染
4.2 結晶性評価
4.3 表面粗さ
5. PACE技術の限界
5.1 膜厚修正能力
5.2 最小取り代
6. PACE技術の他の基板への応用
執筆者一覧
■編集委員長
柏木 正弘 アプライド マテリアルズ ジャパン(株)技師長
■編集委員
松永 正久 東京大学名誉教授
安永 暢男 東海大学工学部精密機械工学科教授
有本 由弘 (株)富士通研究所 基盤技術研究所主管研究員
木下 正治 (株)東芝 生産技術研究所技監
本間 喜夫 (株)日立製作所 中央研究所ULSI研究部主任研究員
阿部 孝夫 信越半導体(株)半導体磯部研究所研究主幹
■執筆者（執筆順）
柏木 正弘 アプライド マテリアルズ ジャパン(株)技師長
前田 和夫 (株)半導体プロセス研究所代表取締役
村川 享男 テクノディシプリナリーオフィス所長
安永 暢男 東海大学工学部精密機械工学科教授
土肥 俊郎 埼玉大学教育学部教授
渡邉 純二 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター客員教授
木下 正治 (株)東芝 生産技術研究所技監
黒部 利次 金沢大学工学部機械システム工学科教授
左光 大和 (株)岡本工作機械製作所技術部次長
寺崎 忠士 ロデール・ニッタ(株)技術部開発課課長
松永 正久 東京大学名誉教授
落合 満 日本アエロジル(株)市場開発部次長
石田 昌司 日本アエロジル(株)市場開発部係長
吉田 明利 前 日産化学工業(株)化成品機能製品事業部主幹
現 スピードファム(株)幕張テクノガーデン研究所取締役研究所長
鈴村 聡 (株)フジミインコーポレーテッド 商品開発部商品開発課主任
塙 健三 三井金属鉱業(株)総合研究所無機材料研究室室長
岸井 貞浩 (株)富士通研究所基盤技術研究所ULSIプロセス研究部研究員
牧田 寛 徳島大学工学部電気電子工学科助手
児玉 一志 (株)フジミインコーポレーテッド商品開発本部長
熊谷多賀史 アプライド マテリアルズ ジャパン(株)新製品開発部CMPプロジェクト部長
山下 義典 セキテクノトロン(株)第一事業部オントラックシステムズ部長
桝村 寿 信越半導体(株)半導体白河研究所加工研究部研究員
工藤 秀雄 信越半導体(株)技術本部技術部主席技術員
甲斐 文隆 コマツ電子金属(株)長崎工場プロセス技術部加工技術課課長
稲田 安雄 不二越機械工業(株)開発研究室主任技術員
森田 悦郎 三菱マテリアルシリコン(株)プロセス技術部課長
大見 忠弘 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻教授
森田 博志 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻研究員
田中 好一 信越半導体(株)半導体白河研究所主席研究員
宮下 直人 (株)東芝 半導体生産技術推進センター半導体プロセス技術第1部プロセス技術第4担当主査
安部 正泰 (株)東芝 半導体生産技術推進センター半導体プロセス技術第1部部長
林 喜宏 日本電気(株)シリコンシステム研究所超高集積回路研究部研究専門課長
本間 喜夫 (株)日立製作所 中央研究所ULSI研究部主任研究員
泉谷 徹郎 元HOYA(株)常務取締役研究所長
矢野 博之 (株)東芝 プロセス技術研究所プロセス技術開発第3担当開発主務
有本 由弘 (株)富士通研究所 基盤技術研究所主管研究員
角田 一夫 富士通(株)デバイス開発部第四プロセス開発部
星野 雅孝 富士通(株)デバイス開発部第三プロセス開発部
有田 睦信 日本電信電話(株)システムエレクトロニクス研究所第二プロジェクト主幹研究員
中川 威雄 東京大学生産技術研究所第2部教授
池野 順一 豊橋技術科学大学工作センター講師
平田 照人 信越半導体(株)半導体磯部研究所主席研究員
中野 正剛 信越半導体(株)半導体磯部研究所基礎研究部基礎第1研究室研究員
（敬称略）
