ULSIデバイス・プロセス技術 (新版)

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ULSIデバイス・プロセス技術 (新版)

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  • サイズ A5判/ページ数 357p/高さ 22cm
  • 商品コード 9784885522741
  • NDC分類 549.7
  • Cコード C3055

目次

第1章 序論
第2章 バイポーラトランジスタの動作機構
第3章 MOSトランジスタの動作機構
第4章 ULSIデバイス構造
第5章 微細加工技術
第6章 材料プロセス技術
第7章 信頼性と検査技術
第8章 ULSIの新展開

著者等紹介

菅野卓雄[スガノタクオ]
昭34東大大学院数物電気了、工博。同年、東大・工・電気・講師(専任)、昭35同大学・電子・助教授、昭41同教授、平3工学部長、平4東大名誉教授、東洋大教授、平6東洋大学長、平12同大学理事長、平18東洋大名誉教授、この間固体電子工学の研究、教育に従事。平7紫綬褒章、平18瑞寶重光章、平23文化功労者、昭49本会業績賞、平4本会功績賞、IEEE Jack A.Morton Award、平7IEEE Life Fellow、平13NEC C&C賞、平17応用物理学会業績賞、平19国立交通大学(台湾)栄誉教授、平20国立成功大学(台湾)栄誉教授、平21科学専業奨章(台湾)

伊藤隆司[イトウタカシ]
昭44東工大・理工・電子卒、昭49同大学院博士了、工博。同年、富士通株式会社入社、(株)富士通研究所半導体研究部長、シリコンテクノロジ研究所長を経て、平15富士通株式会社技師長兼あきる野テクノロジセンタ長、兼産総研先端SoC連携研究体長。平16東北大大学院工学研究科教授、平22定年退職。東工大特任教授を経て、広島大客員教授。本会、IEEE、JSAP各フェロー。大河内賞、オーム賞、山崎貞一賞、渡辺賞、手島賞、文科大臣表彰科学技術賞、SSDM Award等を各受賞(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

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