内容説明
本書は、原子レベルで材料・プロセスを理論設計する際に必要な計算科学の基礎について解説したものである。
目次
第１章 はじめに（ナノデバイスと計算科学；「ナノスケールの計算科学的手法」で何が分かるか）
第２章 計算方法（経験的原子間ポテンシャル；動的計算手法 ほか）
第３章 計算科学によって得られる物質の基本的諸性質（構造安定性；熱力学的安定性 ほか）
第４章 ナノエレクトロニクスへの応用（シリコンの酸化現象と酸化膜の膜質向上への原子レベル計算によるアプローチ；エピタキシャル成長への原子レベル計算によるアプローチ）
著者等紹介
白石賢二［シライシケンジ］
昭５８東大・理・物理卒。昭６３同大学院・理・物理博士了。同年日本電信電話（株）入社、平１３‐０１筑波大・物理学系・助教授。専門は固体物理学、物性理論。理博。平１２応用物理学会ＪＪＡＰ論文賞。日本物理学会、応用物理学会、表面科学会、日本結晶成長学会各会員
伊藤智徳［イトウトモノリ］
昭５３名大・工・機械及び機械工学第二卒。昭５５同大学院機械工学専攻博士前期了。同年日本電信電話公社入社。平１１三重大・工・物理工学助教授。平１３同教授。専門はＧａＡｓ分子線エピタキシャル成長の研究を経て、現在は半導体材料物性、材料設計の研究に従事。工博。昭６３応用物理学会Ｂ賞受賞。日本機械学会、日本物理学会、応用物理学会、米国物理学会、日本結晶成長学会各会員
影島博之［カゲシマヒロユキ］
昭６１早大・理工・物理卒。平３東大大学院・理・物理博士了。同年日本電信電話（株）入社、平１２‐０７より同社物性科学基礎研究所担当課長。専門は半導体表面界面及び半導体結晶中点欠陥の理論物性物理学。理博。平１２応用物理学会ＪＪＡＰ論文賞。日本物理学会、応用物理学会、表面科学会、米国材料学会各会員
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