出版社内容情報
構成および内容
第１章 最新の封止技術と材料
１．最新のＩＣ封止技術の動向
１．１ ＩＣパッケージの動向
１．２ ポストモールドとプレモールド方式
１．３ 封止用樹脂材料と成形技術の動向
２．表面実装用ＩＣパッケージングの動向
２．１ ＳＯパッケージ
２．２ ＰＬＣＣ
２．３ 標準化されていないパッケージ
２．４ ガルウィングとＪリード
２．５ 今後の動向
第２章 封止用材料の最近の進歩と新材料の動向
１．半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の硬化触媒
１．１ 酸無水物によるエポキシ樹脂の硬化機構
１．２ エポキシ樹脂のノボラック硬化の機構
１．３ エポキシ樹脂成形材料に用いられる触媒
２．低応力化のためのエポキシ樹脂の可撓性付与技術
２．１ エポキシ樹脂とＣＴＢＮの反応－アダクトの生成
２．１．１ エポキシ樹脂とＣＴＢＮの反応－エラストマー変性エポキシ樹脂の製造
２．１．２ ＣＴＢＮ変性固型エポキシ樹脂のモルホロジー
２．２ ＣＴＢＮによるエポキシ樹脂の低応力化と低収縮化
２．２．１ 低応力化
２．２．２ 低応力化の方法
２．２．３ 低収縮化
２．３ シリコンエラストマー変性による低応力化
２．３．１ ポリシロキサンエラストマーによるエポキシ樹脂の変性
２．３．２ ポリシリコンエラストマーとエポキシ樹脂の相溶性
２．３．３ シリコンエラストマー変性エポキシ樹脂による低応力化
２．３．４ ポリシロキサンエラストマーの合成
２．４ ポリ（ｎ－ブチルアクリレート）によるエポキシ樹脂の変性
２．４．１ カルボキシル基末端ポリｎ－ブチルアクリレートによるエポキシ樹脂の変性
２．４．２ エポキシ樹脂変性用カルボキシル末端ｎ－ブチルアクリレート反応性液状ゴムの合成
３．スーパーエンジニヤリングプラスチックのＩＣ封入射出成形への応用
３．１ ポストモールド方式によるＩＣの射出成形
３．２ プレモールドパッケージへの応用
４．高信頼性ＶＬＳＩセラミックパッケージ
４．１ 最近のＶＬＳＩ用セラミックパッケージ
４．１．１ 高信頼性パッケージの概観
４．１．２ パッケージの信頼性の問題
４．１．３ Cerquad チップキャリヤ
４．１．４ 将来のセラミックパッケージの開発
４．２ 多層セラミックビヤ形成技術
４．２．１ 製造法
４．２．２ 自動打抜加工
４．２．３ ビヤの検査
４．２．４ グリーンシート多層法の比較
４．３ 多層セラミックスの共焼成法
４．３．１ 応用
４．３．２ 多層セラミックス
４．３．３ セラミックテープキャスティング
４．３．４ パンチング
４．３．５ メタライゼーション
４．３．６ ラミネーションと焼成
４．３．７ 焼成後の作業
４．３．８ セラッミック表面への回路の付加
４．４ ＶＬＳＩにおけるソフトエラー
４．４．１ パッケージ用材料と測定技術
４．４．２ デバイスの方向
４．４．３ ソフトエラーの試験
４．４．４ エラーの検出と修正
４．４．５ 他のソフトエラーソース
４．４．６ 結論
第３章 最新のＶＬＳＩの樹脂封止と封止用樹脂材料
１．プラスチックチップキャリヤ－信頼性に対する疑問と対策
１．１ プラスチックチップキャリヤ（ＰＣＣ）
１．２ Ｊリード
１．３ 内部構造
１．３．１ 金属リードフレーム
１．３．２ ダイアタッチ用材料
１．３．３ ボンディング
１．３．４ シリコンナイトライドパッシベーション
１．３．５ モールド用樹脂材料
１．３．６ モールディング後の加工
２．プレモールド型リードつきプラスチックチップキャリヤ－信頼性と用途
２．１ パッケージの形状の設計
２．１．１ 24リード
２．１．２ 28 および68リード
２．２ パッケージ試験法
２．３ はんだ接続の信頼性試験
２．４ パッケージの信頼性試験結果
２．４．１ 85℃／85％ＲＨバイアス負荷試験
２．４．２ 高温バイアス試験
２．４．３ －40℃～＋150℃温度サイクル試験
２．５ はんだ接続試験
２．６ リードつきプラスチックチップキャリヤの用途
２．７ まとめ
３．プレモールドプラスチックパックチップキャリヤ－ポリエーテルイミド樹脂を使用したパッケージ
３．１ 四分割方式による高ピンカウントパッケージ
３．２ コンタクト部分のメッキ
３．３ プラスチックベース・カバーとプラスチック材料
３．４ 放熱対策
４．エポキシ樹脂積層板を用いたプラスチックチップキャリヤ
４．１ 製造法
４．２ チップキャリヤの特性
４．２．１ ボンディング
４．２．２ 電気的特性
４．２．３ 熱的性質
４．３ 信頼性
４．３．１ 試験法
４．３．２ エポキシ樹脂積層板を用いたプラスチックチップキャリヤの信頼性
４．４ 結論
５．プラスチックピングリッドアレイパッケージ
５．１ プラスチックピングリッドアレイの設計
５．２ プラスチックピングリッドアレイの製造
５．２．１ ホト加工
５．２．２ 組立
５．３ プラスチックＰＧＡのアセンブリー
５．３．１ ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）
５．３．２ フリップチップ
５．３．３ ワイヤーボンディング
５．４ 試験結果
５．５ 結論
第４章 ＧａＡｓ半導体，高速論理素子のパッケージとパッケージ材料
１．高速ＧａＡｓ論理システムのパッケージ設計の基礎
１．１ ＧａＡｓ論理素子のパッケージ
１．２ ギガヘルツ領域で用いられるプリント配線材料
１．３ 反射とリンギング
１．４ 配線密度を減少させて漏話を最小にする
１．５ 減結合を（Decoupling）キャップをつけたＧａＡｓ論理回路
１．６ 信号の劣化を最小にする誘電材料
１．７ パッケージの根本的な変更は不必要
２．ＧａＡｓダイのパッケージング
２．１ ＧａＡｓダイのパッケージング
２．２ 部品のパッケージング
３．ＧａＡｓ半導体のマルチチップ基板（ギガヘルツ超高速論理用パッケージ）
３．１ マルチチップビヒクル（ＭＣＶ）
３．２ 改良ＭＣＶの設計
３．３ 伝送線基板の特性インピーダンスの計算
３．４ ポリイミド多層アディティブ法によるＭＣＶ基板の製造
４．高速（100～150ＭＨz）デジタルプリント配線板
４．１ 高速プリント配線板の背景
４．２ フッ素樹脂基板
４．３ その他の材料
４．４ リードセラミックチップキャリヤの表面実装用プリント配線板
４．５ 低膨張係数の金属をコアとするプリント配線板
４．６ 銅クラッドインバー
４．７ ケブラー繊維強化積層板
４．８ コルツ繊維積層板
４．９ その他のアプローチ
第５章 半導体の接合技術と接合用材料
１．ＴＡＢ技術（Tape Automated Bonding）
１．１ タブの構造
１．２ ２層テープ
１．３ ３層テープ
１．４ バンプつきテープかバンプつきチップか
１．５ 表面実装
１．６ 将来の動向
２．ＴＡＢの将来
２．１ ＴＡＢの実装の推進力
２．２ ＴＡＢの問題点（普及の障害となるもの）
２．３ ＴＡＢによる実装の低コスト化
２．４ 今後の見通し
３．ダイアタッチ用接着剤と接着
３．１ ダイアタッチの方法とその特性の比較－低温ダイボンディングの必要性
３．２ ダイアタッチ用接着剤の選定
３．３ エポキシの押し出し滴下（dispensing）
３．４ ダイマウンティング
３．５ デバイス特性
３．６ 汚染
３．７ フォワード電圧の改善
３．８ フラッター（動作が不安定で急激に変動すること）現象
３．９ 個別部品の導電性接着剤による接着
３．10 他の応用例
３．11 ダイボンディング用導電性接着剤の信頼性（その１）
３．11．１ 機械的ストレス試験
３．11．２ 発生ガス成分の測定
３．11．３ 発生ガスのデバイスの安定性への影響
３．12 ダイボンディング用導電性接着剤の信頼性（その２）
３．12．１ 接着剤の特性評価
３．12．２ MIL-STD-883A逐次スクリーニング試験
４．デバイスのシーリング法
４．１ はじめに
４．２ 機械的なシーリング
４．３ ポリマーによるシーリング
４．４ ガラスおよびセラミックス
４．５ 金属の接合性
４．６ プロジェクション溶接
４．７ 抵抗シームシーリング
４．８ ろう付け
４．９ はんだ付け
内容説明
本書は、エレクトロニクスパッケージング技術と材料について、現状と問題点および今後の方向性についてとりまとめたものである。パッケージの設計・製造・試験にかかわる技術者、パッケージング材料の開発に従事する技術者に。
目次
第１章 最新の封止技術と材料
第２章 封止用材料の最近の進歩と新材料の動向
第３章 最新のＶＬＳＩの樹脂封止と封止用樹脂材料
第４章 ＧａＡｓ半導体、高速論理素子のパッケージとパッケージ材料
第５章 半導体の接合技術と接合用材料
