目次
第１章 半導体の物理（半導体シリコンの結晶構造とエネルギー帯；半導体のキャリア密度；半導体の電気伝導）
第２章 ｐｎ接合ダイオード（ｐｎ接合ダイオードの構成と動作原理；ｐｎ接合ダイオードの電流‐電圧特性；ｐｎ接合ダイオードの容量特性）
第３章 バイポーラ・トランジスタ（バイポーラ・トランジスタの構成と動作原理；バイポーラ・トランジスタの電流増幅；バイポーラ・トランジスタの静特性）
第４章 ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴの構成；ＭＯＳ構造の動作；はんてんじょうたいの電荷特性としきい値電圧；ＭＯＳ構造の容量特性；ＭＯＳＦＥＴの静特性；ＣＭＯＳの構造と動作）
著者等紹介
室英夫［ムロヒデオ］
１９７８（昭和５３）年東京大学大学院工学研究科（電子工学専攻修士課程）修了。１９８１（昭和５６）年日産自動車入社、中央研究所勤務。２００２（平成１４）年ユニシアジェックス（現在株式会社日立製作所）主管。２００６（平成１８）年千葉工業大学工学部教授。博士（工学）。専門は、電子デバイス、センサ工学
脇田和樹［ワキタカズキ］
１９８４（昭和５９）年大阪府立大学大学院工学研究科（電気工学専攻後期博士課程）単位取得退学。１９８７（昭和６２）年大阪府立大学工学部助手、その後講師、助教授を経て、２００７（平成１９）年千葉工業大学工学部教授。博士（工学）。専門は、結晶成長と光物性
阿武宏明［アンノヒロアキ］
１９９４（平成６）年山口大学大学院工学研究科博士後期課程修了。同年東京理科大学山口短期大学助手。１９９５（平成７）年山口東京理科大学基礎工学部助手、２０００（平成１２）年同講師、２００３（平成１５）年同助教授、２００７（平成１９）年同准教授。博士（工学）。専門は、電子材料工学、熱電変換工学（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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