Power electronics
パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際―MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

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  • サイズ A5判/ページ数 183p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784789836098
  • NDC分類 549.6
  • Cコード C3055

内容説明

IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで、我々の周りのいろいろな電気機器に使われています。本書は、このIGBTの活用方法について詳細に解説しています。

目次

第1章 IGBTの基礎知識
第2章 ゲート・ドライブ回路の設計
第3章 保護回路の設計と並列接続
第4章 放熱設計方法
第5章 ノイズ低減対策技術
第6章 トラブル発生時の対処方法
第7章 インテリジェント・パワー・モジュールIPM

著者等紹介

五十嵐征輝[イガラシセイキ]
1960年北海道生まれ。1984年明治大学大学院工学研究科博士前期課程修了、富士電機株式会社入社。2000年東京都立大学大学院電気工学科博士課程修了、博士(工学)。現在、富士電機システムズ株式会社モジュール技術部IGBTモジュールの開発に従事。電気学会上級会員、2010年電気学会産業応用部門大会論文委員長(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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感想・レビュー

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Tsuyoshi Horigome

0
実務に役立つ内容が欲しかった。残念。2012/01/16

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