目次
１ デバイスの概念
２ 結晶中の電子の振る舞い
３ 半導体中の電子とホール
４ 半導体中の電気伝導
５ ＰＮ接合
６ 金属と半導体の接合
７ バイポーラトランジスタ
８ ＭＯＳトランジスタ
９ パワー半導体デバイスの考え方
著者等紹介
柴田直［シバタタダシ］
工学博士。東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授。１９７１年大阪大学工学部電子工学科卒業、１９７４年大阪大学大学院・基礎工学研究科・物性学専攻を博士課程１年で中退、大学院では物性理論の研究を行う。１９７４年東芝入社、総合研究所にてＭＯＳ集積回路の研究開発に従事。１９７８年～１９８０年、スタンフォード大客員研究員としてレーザアニールの研究を行い、この研究により１９８４年東京大学より工学博士の学位を授与される。１９８６年に東芝を退社、東北大学工学部電子工学科助教授に着任、低温半導体プロセスの研究から知能デバイスの研究を行う（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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感想・レビュー
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Shotaro Tsuji
1
基本的な所はまあまあ理解出来る。しかしバイポーラトランジスタとMOSFETの詳しい話のところが一読しただけでは理解出来なかった。2013/01/07
