内容説明
本書には、シリサイド系半導体の基礎、結晶成長と素材技術、薄膜形成技術、構造解析、鉄シリサイドの物性、新しいシリサイドの合成と物性、そして発光素子、太陽電池、光学応用、フォトニック結晶、スピントロニクスへの応用研究が含まれている。これらには、我が国の研究者が世界をリードして生まれた、ユニークで特筆すべきものが多く含まれている。
目次
第１章 シリサイド系半導体の基礎
第２章 結晶成長技術
第３章 薄膜形成技術
第４章 構造解析
第５章 鉄シリサイドの物性
第６章 新しいシリサイドの合成と物性
第７章 シリサイド系半導体の応用
著者等紹介
前田佳均［マエダヨシヒト］
１９５９年生。１９８２年京都大学工学部卒。１９８４年京都大学大学院工学研究科修了。同年、株式会社日立製作所入社。１９９５年大阪府立大学総合科学部講師、１９９６年助教授、１９９９～２０００年米国サリー大学客員研究員。２００３年京都大学大学院エネルギー科学研究科助教授、２００７年准教授、２０１２年九州工業大学大学院情報工学研究院教授。専門分野：半導体物性工学、ナノ構造光物性。所属学会：応用物理学会、日本物理学会、日本金属学会、日本真空学会、応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会委員長（初代）。博士（工学）（東京大学）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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