目次
１ 理論（グラフェンの特異な物理；グラフェンのエッジ状態の起源；ドープしたグラフェンの電子状態・触媒活性；酸化グラフェンとコンポジット材料の電子状態）
２ グラフェンの物性、評価（グラフェンの作製、膜厚の評価、観察；グラフェンの超伝導近接効果；グラフェンの光電子分光；ＳＴＭ／ＳＴＳによるグラフェン端の電子状態解析；ニッケル単結晶基板上グラフェンのスピン偏極）
３ 新しい作製法（ＳｉＣ上のグラフェン成長と電気特性；シリコン基板上のグラフェン薄膜成長；グラフェンの化学的作製法と有機半導体素子電極への応用；ナノグラフェンの低温成長と物性解析；カーボンナノウォール成長と電子放出；ＣＶＤ法によるナノグラフェンの成長と電子状態；超高温基板を用いた新規カーボン薄膜蒸着成長とラマン分光による評価）
デバイスへの展開（グラフェンの超高周波光・電子デバイス応用；グラフェンのスピンデバイス；ＬＳＩ配線技術への応用）
著者等紹介
斉木幸一朗［サイキコウイチロウ］
東京大学大学院新領域創成科学研究科教授
徳本洋志［トクモトヒロシ］
中央大学大学院理工学研究科客員教授；（独）産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門客員研究員（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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