内容説明
「いつでも、どこでも」を標榜するユビキタス社会の到来によって、メモリは不揮発、高速で、かつ書き換え無制限であることが求められている。これによりテレビのように瞬時に立ち上がるコンピュータが実現するともいわれており、その期待は大きい。こうした要求に応え、高速大容量・不揮発・無制限書き換えをすべて満足させる可能性を持つ唯一のメモリ、それが「ＭＲＡＭ」である。本書は、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリのそれぞれの利点を併せ持ち、ユニバーサルメモリの最有力候補である「ＭＲＡＭ」について、その構造や製造技術、今後の展望などを分かりやすく解説する。
目次
第１章 不揮発性磁気メモリＭＲＡＭとは
第２章 ＭＲＡＭを理解するための磁性の基礎
第３章 巨大磁気抵抗効果
第４章 トンネル磁気抵抗の原理と基本特性
第５章 ＴＭＲ素子の成膜および微細加工技術
第６章 磁化反転機構―ＭＲＡＭの書き込みのための基礎
第７章 ＭＲＡＭ開発の現状
第８章 ＭＲＡＭの将来技術―ギガビット級を目指して
第９章 ＭＲＡＭの応用
著者等紹介
猪俣浩一郎［イノマタコウイチロウ］
東北大学大学院・工学系研究科知能デバイス材料学専攻教授。１９７０年３月東京都立大学大学院理学研究科博士課程修了・理学博士、同年４月東京芝浦電気（株）（現（株）東芝）・総合研究所入社、１９９６年首席技監（理事）、２０００年４月から現職。専門：磁性・スピントロニクス。１９９４年Ｒｅａｌ Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ａｗａｒｄ（米国）、１９９５年科学技術庁長官賞・研究功績者賞、２０００年紫綬褒章（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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