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超LSI技術〈24〉デバイスとプロセス(その14)

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  • サイズ B5判/ページ数 345p/高さ 28cm
  • 商品コード 9784769311867
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

内容説明

集積回路技術が急速に進歩し、0.1μmの最小加工寸法をもつ集積回路の実現も間近に迫っていることから、本巻では、0.1μm時代へ向けてのプロセス、デバイス、回路技術という視点から0.1μm集積回路実現の鍵を握ると思われる重要技術を取り上げ、研究開発の現状と実用化の可能性について言及している。

目次

本文(高速低消費電力部分空乏型SOI‐CMOS技術;極浅接合形成技術;二次宇宙線の中性子が引き起こすソフトエラー;高速DRAM設計技術;DRAM・論理混載LSIアーキテクチャ;DRAM混載LSI技術;ArFレーザ露光技術(露光装置;フォトレジスト材料)
高精度プラズマエッチング技術)
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