目次
１章 半導体とＭＯＳトランジスタの簡単な説明
２章 半導体の基礎物理
３章 ｐｎ接合ダイオード
４章 バイポーラトランジスタ
５章 ＭＯＳキャパシタ
６章 ＭＯＳトランジスタ
７章 超ＬＳＩデバイス
著者等紹介
執行直之［シギョウナオユキ］
東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士（工学）。ＩＥＥＥ Ｆｅｌｌｏｗ。１９８０年（株）東芝入社。２０１９年キオクシア株式会社。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。１９８２年に３次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超ＬＳＩの実現に貢献した。また、静電破壊（ＥＳＤ）やソフトエラーなどの問題も解決した（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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