ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学―ＦＬＡＰＷ‐Ｆｏｕｒｉｅｒ理論による電子機能材料開発

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ヒューム・ロザリー電子濃度則の物理学―ＦＬＡＰＷ‐Ｆｏｕｒｉｅｒ理論による電子機能材料開発

水谷宇一郎/佐藤洋一【共著】
価格 ¥6,600（本体¥6,000）
内田老鶴圃（2015/10発売）
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サイズ A5判／ページ数 231p／高さ 21cm
商品コード 9784753621019
NDC分類 549
Cコード C3042

第１章　ヒューム・ロザリー電子濃度則とは
第２章　ＷＩＥＮ２ｋを用いたＦＬＡＰＷ‐Ｆｏｕｒｉｅｒ解析法
第３章　周期律表元素の電子構造とｅ／ａの決定
第４章　結合形態による金属間化合物の分類
第５章　Ａｌ‐およびＺｎ‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
第６章　ジントル化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
第７章　Ｐ‐基金属間化合物のヒューム・ロザリー電子濃度則
第８章　ヒューム・ロザリー電子濃度則と干渉条件
第９章　ヒューム・ロザリー電子濃度則の材料開発への応用

著者等紹介

水谷宇一郎［ミズタニウイチロウ］
１９４２年名古屋に生まれる。１９６４年名古屋大学工学部応用物理学科卒業。１９７１年名古屋大学工学博士。１９７２年Ｃａｒｎｅｇｉｅ‐Ｍｅｌｌｏｎ大学（Ｕ．Ｓ．Ａ．）ｐｏｓｔ　ｄｏｃｔｏｒａｌ　ｆｅｌｌｏｗ。１９８９年名古屋大学工学部教授。２００５年公益財団法人豊田理化学研究所フェロー。２００９年公益財団法人名古屋産業科学研究所上席研究員。名古屋大学名誉教授。Ｗｉｌｌｉａｍ　Ｈｕｍｅ‐Ｒｏｔｈｅｒｙ　Ａｗａｒｄ（２００５）

佐藤洋一［サトウヒロカズ］
１９４６年宮城県に生まれる。１９６８年東北大学理学部物理学科卒業。１９７３年東北大学理学博士。１９７４年愛知教育大学助手。１９８９年愛知教育大学教授。２０１１年～２０１４年愛知教育大学特別研究員。愛知教育大学名誉教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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