内容説明
本書は、半導体分野での世界的権威、Ｔａｕｒ，Ｎｉｎｇが最新ＶＬＳＩデバイスの基礎についてまとめた名著“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ｏｆ Ｍｏｄｅｒｎ ＶＬＳＩ Ｄｅｖｉｃｅｓ”の翻訳。ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。事前に必要とされる予備知識は、固体物理と半導体物理の入門的知識のみである。電気・電子工学分野の大学学部高学年から大学院の教科書、技術者・研究者にとっては知識を体系的に再整理する参考書、として最適。最先端デバイスの設計と最適化に必要な基礎～応用までを展開。
目次
デバイス物理の基礎
ＭＯＳＦＥＴデバイス
ＣＭＯＳデバイス設計
ＣＭＯＳ性能因子
バイポーラデバイス
バイポーラデバイス設計
バイポーラ性能因子
ＣＭＯＳプロセスフロー
最近のｎｐｎバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
実効状態密度
アインシュタインの関係式
なだれ降伏の開始条件
サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
弱反転での量子学解
エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
真性ベース抵抗
著者等紹介
芝原健太郎［シバハラケンタロウ］
１９８８年京都大学大学院博士後期課程電気工学第二専攻修了。工学博士。１９８８年～１９９５年日本電気株式会社勤務（超高速デジタルＧａＡｓ系ＦＥＴや高集積ＤＲＡＭの研究開発に従事）。１９９５年～１９９６年広島大学集積化システム研究センター助教授。１９９６年５月～広島大学ナノデバイス・システム研究センター発足に伴い同センター助教授（極微細ＭＯＳＦＥＴのデバイス・プロセスの開発に従事）
竹内潔［タケウチキヨシ］
日本電気株式会社シリコンシステム研究所主任研究員
寺内衛［テラウチマモル］
広島市立大学情報科学部情報工学科助教授
寺田和夫［テラダカズオ］
広島市立大学情報科学部情報工学科教授
堀敦［ホリアツシ］
松下電器産業株式会社半導体社開発本部
宮本恭幸［ミヤモトヤスユキ］
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻助教授
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