内容説明
ＬＳＩデバイス技術はナノメーター領域に近づいているが、本書は、この回路シミュレーションモデルの決定版といわれているＢＳＩＭ３についての解説書である。デバイス研究者、回路設計者、デバイス技術者の実用書としてのみならず、回路設計・デバイス設計関連の研究室に在籍する学部４年生～大学院生らの参考書としても有用。さらに、ＬＳＩデバイス技術者の、ＢＳＩＭ３の研修テキストとして最適である。
目次
序論
現代のＭＯＳＦＥＴにおける重要な物理現象
しきい値電圧モデル
Ｉ‐Ｖモデル
キャパシタンスモデル
基板電流モデル
ノイズモデル
ソース・ドレイン寄生素子モデル
温度依存性モデル
非準静的（Ｎｏｎ‐ｑｕａｓｉ Ｓｔａｔｉｃ：ＮＱＳ）モデル
ＢＳＩＭ３ｖ３モデルの仕組み
モデルのテスト
モデルパラメータ抽出
ＲＦ，および他分野へのコンパクトモデルの応用
著者等紹介
鳥谷部達［トヤベトオル］
東洋大学工学部コンピュテーショナル情報工学科教授
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