内容説明
本書は、二次元効果や高電界化の問題、高集積化されたデバイスの信頼性の確保といった問題を、ショートチャネルMOSトランジスタの動作原理より説き起こし、サブミクロンデバイスを基礎から本格的に解説しています。
目次
1 MOSデバイスの基礎(MOSトランジスタの概要;長チャネルMOSトランジスタの動作原理;短チャネルMOSトランジスタの動作原理)
2 VLSIの基礎(VLSIの基本回路;VLSI回路)
3 サブミクロンデバイス(微細形状効果;CMOSデバイスとラッチアップ)
本書は、二次元効果や高電界化の問題、高集積化されたデバイスの信頼性の確保といった問題を、ショートチャネルMOSトランジスタの動作原理より説き起こし、サブミクロンデバイスを基礎から本格的に解説しています。
1 MOSデバイスの基礎(MOSトランジスタの概要;長チャネルMOSトランジスタの動作原理;短チャネルMOSトランジスタの動作原理)
2 VLSIの基礎(VLSIの基本回路;VLSI回路)
3 サブミクロンデバイス(微細形状効果;CMOSデバイスとラッチアップ)