内容説明
高度情報化社会、それは化合物半導体ぬきには考えられない。今日注目されている光通信やコンパクトディスクではレーザダイオードが、衛星通信ではＧａＡｓＦＥＴが、そのキーデバイスとなっている。ＧａＡｓは、自然界にはない物質を人工的に作って実用化した、初めての半導体である。その意味では人工超格子などのハイテク半導体材料の先駆者であり、ＧａＡｓを理解することは、化合物半導体の基礎を知ることとなるのである。
目次
１ 化合物半導体の基礎（半導体の基礎；化合物半導体の特徴）
２ 化合物半導体の結晶成長法（バルク結晶の成長法；塩化物気相エピタキシー）
３ ＧａＡｓの物性（電気的性質；光学的性質；欠陥準位と深い不純物準位）
４ 化合物半導体デバイスと結晶特性（マイクロ波ダイオード；ＧａＡｓ電界効果トランジスタ；発光ダイオード）
５ 化合物半導体のプロセス技術（エッチング；ショットキー接合とオーミックコンタクト；不純物拡散とイオン注入）
