内容説明
現在の電子デバイスはＭＯＳＦＥＴ集積回路を中心とする半導体デバイスが主流である。本書はこの半導体デバイスについて、実践的に役立つように解説した教科書である。すなわちＭＯＳＦＥＴが先に登場する形で構成し、また実際の設計において大切なデバイスの寸法と電圧の関係を表わすスケーリングの理解を主眼に説明した。バイポーラトランジスタやその他のメモリ、パワーデバイス、化合物半導体についても要点を捉えた簡潔な解説がある。教科書のみならず実用に役立つ参考書として好適な一冊である。
目次
１ デバイス理解の基礎知識（デバイス理解のために最小限の半導体物理；ｐｎ接合の動作 ほか）
２ ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴの構造；ＭＯＳＦＥＴの直流特性 ほか）
３ バイポーラトランジスタ（バイポーラトランジスタの基礎；等価回路 ほか）
４ そのほかの電子デバイス（ＭＯＳ構造をベースにしたメモリデバイス；パワーデバイス ほか）
著者等紹介
宮本恭幸［ミヤモトヤスユキ］
１９８３年東京工業大学工学部電子物理工学科卒業。１９８８年東京工業大学理工学研究科電子物理工学博士課程修了。東京工業大学工学部助手・助教授を経て、東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻准教授。工学博士（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。
