目次
１ サステイナブル社会を実現するパワーエレクトロニクス
２ 半導体物性が決めるパワーデバイスの特性
３ パワーダイオードの耐圧とスイッチング速度
４ パワーデバイスで最も重要なＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴ
５ Ｓｉデバイスを超えるワイドバンドギャップ半導体
６ パワーデバイスと回路をつなぐエンジニアリング
７ パワーエレクトロニクス技術のかたまり・電気自動車
８ 電気自動車に使われる受動素子
９ パワーエレクトロニクス測定に利用する電圧・電流プローブ
１０ パワーエレクトロニクスの測定項目と測定事例
著者等紹介
〓木茂行［タカギシゲユキ］
１９８２年名古屋大学工学部電気電子工学科卒業。１９８４年名古屋大学大学院工学研究科修士課程修了（電気電子工学専攻）。株式会社東芝生産技術研究所勤務。１９９１年名古屋大学大学院工学研究科博士課程修了（電気電子工学専攻）工学博士。１９９７年株式会社東芝生産技術センター勤務。２０００年技術士（電気電子部門）。２００７年株式会社ＳＥＤ勤務。２０１０年株式会社東芝生産技術センター勤務。２０１１年青山学院大学大学院博士課程修了（機能物質創成コース）博士（理学）。２０１５年東京工科大学教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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