目次
１章 集積回路の微細化が進められた理由（なぜ集積回路を微細化するのか；集積回路の微細化と性能の推移 ほか）
２章 固体電子論の基礎（自由電子の波動関数；シリコンの結晶構造 ほか）
３章 半導体中のキャリヤ（真性半導体；真性半導体の伝導電子密度と正孔密度 ほか）
４章 ＭＯＳＦＥＴの動作原理（ＭＯＳ構造；空乏近似 ほか）
５章 ＬＳＩ製造プロセス（ＬＳＩができるまでの流れ；製造プロセスのフロー ほか）
６章 ＬＳＩの構成と動作（ＤＲＡＭの動作；ＳＲＡＭの動作 ほか）
著者等紹介
小林清輝［コバヤシキヨテル］
１９８１年名古屋大学工学部応用物理学科卒業。１９８３年名古屋大学大学院工学研究科博士前期課程修了（応用物理学専攻）。１９８３年三菱電機株式会社（ＬＳＩ研究所、ＵＬＳＩ開発研究所、メモリ事業統括部、ＵＬＳＩ技術開発センター）。１９９７年博士（工学）（名古屋大学）。２００３年株式会社ルネサステクノロジ（生産技術本部、生産本部）。２００５年東海大学教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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