目次
１ パワーデバイスの概要
２ パワーデバイスによる電力変換
３ 原子と結晶
４ 半導体中のキャリヤ
５ 半導体デバイスの基礎
６ 電力用ダイオードおよび電流制御型スイッチングデバイスの構造と特性
７ 電気制御型スイッチングデバイスの構造と特性
８ パワーモジュールの構造と要求性能
９ パワーデバイス用シリコンウェーハ
１０ パワーチップ製造プロセス
１１ パワーモジュール製造プロセス
１２ ワイドギャップ半導体パワーデバイス
著者等紹介
山本秀和［ヤマモトヒデカズ］
１９７９年北海道大学工学部電気工学科卒業。１９８４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了（電気工学専攻）、工学博士。三菱電機株式会社勤務。２０１０年千葉工業大学教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。
