目次
半導体の電気的特性（結晶構造；エネルギー帯構造；格子振動；電子・正孔の密度；キャリヤの輸送と電気伝導；デバイス解析の基本方程式）
ダイオード（ショットキー接合；オーム接触；ｐｎ接合；マイクロ波ダイオード）
ＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳ構造の物理；ＭＯＳトランジスタの動作原理と特性；ＭＯＳ集積回路デバイス）
接合形電界効果トランジスタ（Ｊ ＦＥＴの動作特性；ショットキーゲート電界効果トランジスタ縦形ＦＥＴ）
バイポーラトランジスタ（構造と動作原理；スイッチ動作と増幅作用；トランジスタの動作解析モデル；トランジスタの諸効果と動作限界；バイポーラ論理回路）
ヘテロ接合デバイス（ヘテロ接合の概念；混晶；ヘテロ接合のバンド不連続；二次元電子ガス；超格子；ヘテロ接合バイポーラトランジスタ；高移動度トランジスタ；量子井戸レーザ）
光半導体デバイス（光の吸収と発光；半導体レーザ；発光ダイオード；受光デバイス；太陽電池）
そのほかの半導体デバイス（サイリスタ；撮像素子；センサ）
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