現場の即戦力　ＥＵＶ時代の半導体リソグラフィ技術

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  • サイズ A5判／ページ数 352p／高さ 22cm
  • 商品コード 9784297154622
  • NDC分類 549.7
  • Cコード C3054

出版社内容情報

限界といわれながら半導体集積回路の高集積化の勢いが止まらない。この高集積化を牽引するリソグラフィ技術に関し、その基本から応用まで詳述する。光リソグラフィ技術の解像限界を突破するマルチパターニング技術から、最先端微細加工を実現するEUVリソグラフィ技術の最新状況を紹介する。さらにマスク作製を一変させたマルチビーム型電子線描画装置の最新状況や、超微細な構造を実現するナノインプリント技術の最新状況まで述べている。


【目次】

1章　半導体集積回路の発展とリソグラフィ技術の役割
1.1　半導体産業の位置づけとリソグラフィ技術
1.2　リソグラフィ技術とは
1.3　リソグラフィシステムの発展
1.4　まとめ

2章 光リソグラフィ技術
2.1　はじめに
2.2　露光装置の構成
2.3　光露光装置の解像性能
2.4　露光光学系の諸要素
2.5　露光装置の全体性能
2.6　光リソグラフィの今後

3章　EUVリソグラフィ
3.1　はじめに
3.2　露光装置の構成
3.3　露光光学系
3.4　EUV露光を形成する諸要素
3.5　EUV露光系の結像性能
3.6　高NA EUV露光装置のシステム
3.7　EUVリソグラフィの将来

4章　電子線リソグラフィ技術
4.1　はじめに
4.2　レジスト中での電子の散乱とエネルギーの堆積
4.3　近接効果とその補正技術
4.4　電子線描画方式

5章　ナノインプリントリソグラフィ技術
5.1　はじめに
5.2　NIL技術
5.3　NIL技術の技術と性能

6章　レジスト
6.1　リソグラフィの動向とレジスト
6.2　レジストに要求される性質
6.3　リソグラフィ技術で用いる露光波長と光化学
6.4　光化学
6.5　EUV（X線）と分子との相互作用
6.6　電子線と分子との相互作用
6.7　現像　有機溶媒現像とアルカリ現像
6.8　ｇ線、i線用ジアゾナフトキノン（DNQ）－ノボラック樹脂系ポジ型フォトレジス
6.9　KrFエキシマレーザ（248nm）用化学増幅系レジスト
6.10　ArFエキシマレーザ（1９３nm）リソグラフィ用化学増幅レジスト
6.11　ArF液浸用レジスト
6.12　EUV（Extreme UV）用レジスト
6.13　電子線レジスト
6.14　自己組織化パターン形成DSA（Directed Self Assembly）
6.15　微細加工用レジストの課題
6.16　今後の課題

7章　マルチパターニング技術　MPT：Multiple Patterning Technology
7.1　はじめに
7.2　LELE型マルチパターニング技術
7.3　Sidewall Spacer型マルチパターニング技術
7.4　微細ピッチ及び微細寸法のコンタクトホールパターンの形成
7.5　MPT技術利用の効果
7.6　その他のMPT技術
7.7　レジスト膜の多層化技術

目次

１章　半導体集積回路の発展とリソグラフィ技術の役割
２章　光リソグラフィ
３章　ＥＵＶリソグラフィ
４章　電子線リソグラフィ技術
５章　ナノインプリントリソグラフィ技術
６章　レジスト材料技術
７章　マルチパターニング技術　ＭＰＴ：Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
８章　マスク技術
９章　計測評価技術
１０章　半導体リソグラフィ技術の今後の展開

著者等紹介

岡崎信次［オカザキシンジ］
１９７０年東京工業大学理工学部電子工学科卒業。１９７０年（株）日立製作所中央研究所に入所。１９９４年東京工業大学より工学博士授与。１９９５年同社半導体事業部、１９９８年同社デバイス開発センターに異動、同年ＡＳＥＴに出向、ＥＵＶ研究室室長としてＥＵＶリソグラフィ技術の研究に従事。２００６年日立中研に帰任。２００９年日立を退職し、ギガフォトン株式会社に入社。ＥＵＶＡに出向、２０１１年、ギガフォトンに戻り、２０１７年に退職、ＡＬＩＴＥＣＳ（株）に入社し、現在に至る。ＩＥＥＥ　Ｌｉｆｅ　Ｆｅｌｌｏｗ、ＳＰＩＥ　Ｆｅｌｌｏｗ、応用物理学会Ｆｅｌｌｏｗ

鈴木章義［スズキアキヨシ］
１９７３年東京大学工学部物理工学専門課程修士卒業。１９７３年キヤノン入社、以降一貫して半導体露光装置の光学システムの開発に従事する。コンタクト／プロキシミティ、等倍ミラープロジェクション、ｇ線／ｉ線／ＫｒＦ／ＡｒＦ／Ｆ２／ＡｒＦ液浸／ＥＵＶ／ナノインプリント／液晶など広範な光露光装置開発に関与した。２０１４年キヤノン退職後ギガフォトンに入社し２０１９年同社を退職。２０１６年よりＡＳリソグラフィコンサルティングを主宰し現在に到る。１９９１年東京大学より工学博士授与。２００４年初代キヤノンフェロー、２００５年ＳＰＩＥ（国際光学会）フェローに就任、２０１５～２０１７年ＳＰＩＥ理事。１９８４年機械振興協会賞、１９８５年応用物理学会光学論文賞、２００６年新機械振興協会賞、２０１９年Ｆｒｉｔｓ　Ｚｅｒｎｉｋｅ　Ａｗａｒｄ（ＳＰＩＥ）受賞

上野巧［ウエノタクミ］
１９７９年東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了（理学博士）。１９７９年（株）日立製作所中央研究所に入所、１９９５年同社日立研究所。２００１年日立化成工業（株）総合研究所（２００２年‐２００５年日立化成デュポンマイクロシステムズへ出向）、２０１２年より信州大学繊維学部特任教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。