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日本が生んだ世界的発明 酸化亜鉛バリスタ

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  • サイズ A5判/ページ数 173p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784274208065
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

目次

第1章 ZnOバリスタの概要―新バリスタの誕生とその基本特性
第2章 ZnOバリスタの材料・構造解析―微細構造、結晶構造から反応メカニズムまで
第3章 ZnOバリスタの物理現象―非オーム性伝導機構から劣化機構まで
第4章 ZnOバリスタの製造方法―材料組成と微細構造の特徴を活かすプロセス技術
第5章 ZnOバリスタの応用展開―発電所から携帯電話まで/高度情報社会をグローバルに支える
第6章 ZnOバリスタの将来展望―究極の素子から新しい粒界現象の応用まで

著者等紹介

松岡道雄[マツオカミチオ]
1960年3月大阪大学理学部物理学科卒業。1960年4月松下電器産業株式会社(現パナソニック)入社。エレクトロニクス材料・デバイスの研究開発に従事。1996年5月定年退職。理学博士(京都大学)

細川武[ホソカワタケシ]
1954年3月香川県立多度津工業高等学校電気科卒業。1954年4月松下電器産業株式会社(現パナソニック)入社。配電機器および雷害対策関連の技術開発に従事。1995年9月定年退職

沖中秀行[オキナカヒデユキ]
1972年3月京都大学大学院理学研究科博士課程(化学専攻)修了。1972年4月松下電器産業株式会社(現パナソニック)入社。エレクトロニクス材料・デバイスの研究開発に従事。2002年3月定年退職。理学博士(京都大学)

江田和生[エダカズオ]
1971年3月名古屋大学大学院工学研究科修士課程(電子工学専攻)修了。1971年4月松下電器産業株式会社(現パナソニック)入社。エレクトロニクス材料・デバイスの研究開発に従事。2006年10月定年退職。工学博士(京都大学)(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

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