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Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device : Surface chemical states, Electrical and carrier transport properties of GaN based MIS type Schottky Junctions （2022. 108 S. 220 mm）
  • 洋書

Studies on Electrical Properties of GaN based MIS Type Schottky Device : Surface chemical states, Electrical and carrier transport properties of GaN based MIS type Schottky Junctions （2022. 108 S. 220 mm）  Paperback

Manjunath, Dr. V./Rajagopal Reddy, Prof. Varra

  • ウェブストア価格 ¥16,302（本体¥14,820）
  • SCHOLARS' PRESS（2022発売）
  • ポイント 148pt
  • オンデマンド(OD/POD)版です。キャンセルは承れません。
Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions : Microelectronic Devices （2021. 152 S. 220 mm）
  • 洋書

Electrical Properties of n-GaN based MOS type Schottky Junctions : Microelectronic Devices （2021. 152 S. 220 mm）  Paperback

Prasad, Dr. Chowdam Venkata/Reddy, Prof. Varra Rajagopal

  • ウェブストア価格 ¥15,313（本体¥13,921）
  • LAP LAMBERT ACADEMIC PUBLISHING（2021発売）
  • ポイント 139pt
  • オンデマンド(OD/POD)版です。キャンセルは承れません。
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