内容説明
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世界的に定評のあるFundamentals of Modern VLSI Devicesの第3版の翻訳書。改訂にあたっては、全体の構成も見直し、学びやすいように順序立てを行っている。さらに、高誘電率 (high-κ) ゲート絶縁膜、メタルゲート技術、ひずみシリコン移動度、MOSFETの非GCAモデリング、短チャネルFinFET、およびSOI上の対称横型バイポーラトランジスタといった話題が新たに追加されている。電子デバイスの開発や研究に携わる技術者、研究者、学生に向けた座右の書。
目次
1 序章
2 デバイス物理の基礎
3 p n 接合と金属 シリコン接触
4 MOSキャパシタ
5 長チャネルMOSFET デバイス
6 短チャネルMOSFET
7 SOI MOSFETおよびダブルゲートMOSFET
8 CMOS性能因子
9 バイポーラデバイス
10 バイポーラデバイス設計
11 バイポーラ性能因子
12 メモリデバイス
参考文献
索引
