タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第3版

著者名：Yuan Taur【著】/Tak H.Ning【著】/宮本恭幸【監訳】

丸善出版（2024/12発売）

• ISBN：9784621310267

内容説明

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世界的に定評のあるFundamentals of Modern VLSI Devicesの第3版の翻訳書。改訂にあたっては、全体の構成も見直し、学びやすいように順序立てを行っている。さらに、高誘電率 (high-κ) ゲート絶縁膜、メタルゲート技術、ひずみシリコン移動度、MOSFETの非GCAモデリング、短チャネルFinFET、およびSOI上の対称横型バイポーラトランジスタといった話題が新たに追加されている。電子デバイスの開発や研究に携わる技術者、研究者、学生に向けた座右の書。

目次

1　序章
2　デバイス物理の基礎
3　p　n 接合と金属　シリコン接触
4　MOSキャパシタ
5　長チャネルMOSFET デバイス
6　短チャネルMOSFET
7　SOI MOSFETおよびダブルゲートMOSFET
8　CMOS性能因子
9　バイポーラデバイス
10　バイポーラデバイス設計
11　バイポーラ性能因子
12　メモリデバイス
参考文献
索引